集成电路可靠性评价技术.pdfVIP

洲十目目％l＆自镕nW§☆女l—J 集成电路可靠性评价技术 扎孚柬章畹文，崽霍德 f二息崖桨祁霞于第瑚f究所冤子元器件可稚性物理及其毖J}i技新圄家级重黠寓驻室J 擅善对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方，它是针对技术磨损的机理．通过 对专门设计的测试结构进行封装级或圆片衄可靠性测试，荻取器件的可靠性模型参敷和可靠-性信息． 超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子洼八效应， 中田分亮号TN43 0 6 文献暂嘏码·A 1引言 可靠性信息，确认f。艺线的呵靠性水平。通过对测试 当今的徽电子I艺技术发展迅速，短短几年时 结构进行封装级或碉片级的可靠性测试，找m存在 M特祉线宽从I微米到08微米、O5微米、0”擞 可靠性缺陷的项目．确定技术席损的机理．确保器件 l 水、025傲米、03暾术再缩小到90纳米，金属化拄档个产品寿命期间有良好的可靠性…， 柑线的宽度越米越细；‘●此同时Ic的栅介质层厚度 也足越米越薄，o35微米J二艺的栅介质层厚度为62可靠性模型 至Ionm，O25微米J．艺的栅介质层厚度为4至I乜迁移试验寿命采用Bl』(=K方程来描述 l 5nm．发展到0 3檄米I．艺时，栅介质层的厚度将仪 为2至3岫；当集戚电路的性能不断提升时．其可靠 。：AJ—n。印f驾 性水平必须得到保证， 1 LkT／ 电迁移现象足运动小的电子与金属原手相瓦交 换动量的结果．因此{}；啦子在10电千施运动方向*{式中Ea为澈活能．n为电流密度网子，K是渡尔滋曼 同的方向迁移．会在原打位覆产生空洞．当空洞逐渐 常数 扩大到1j金属导线相同的宽度时．就会使金属线断 失艘判擗的选择足以金属条上的电阻值超过初 开，产生电迁移fFlrrt”岬a¨¨¨．EM)火设 婧值的5％至20％时的时问为失效日t闭．将电迁移失 栅氧化层质鲢直接芰系到器件的电r}能和nI靠效数据n喊布尔坐标L描f“累积失效分布，就可以推 性，当有电简注入时，会造成共价键断裂，产生缺陷， 赞J：怍应力条件下电迁移靠命，如厂家不能提供可靠 这些缺陷通过陷I{I}(包括界|Il『态l体现出来，彳r质击 r}{芟型参数Fa儿则需要用样品进行提取，激活能Ea 穿分为年“I：击穿和‘·缺陷相t)之的击穿，本征击穿的 需要至少一组币同潞度点的电迁移数据，lnI为了确定 机理和材料性质有关．与缺陷Il{】关的击穿与 m电流密度因子的值．也至少需要二组不同的电流密 h】v^-^-()2两个界面ng小甲祭存戈。 度的lU迁移数据．电流{{彳度凼子的值在激活能求出之 器件特≈K寸减小到l(m以F时．沟道电场枉后才能确定。激活能Ea的值与火嫂机制有关．当失效 漏端形成强电场区，强电场使一部分沟道电了jI有 是由于^^粒扩散引起的．大约是06—07e、_．当失效是 r一定的能破．1能量大干电子跃赶到氧化层的势 由品格扩散引起的，激活能的值太约是】O—l2ev之 垒高度时．发生电子到钮化层的跃赶．过部分电子称 问蹦I是电i王移失效后的sEM阿形 为热电子．跃迁到氧化层中的电子被氧化层陷鞋}俘 获，会产牛氧化层电荷和界面态，引起器件参数的退 化，这种现象称为热载流子洼^效应 网j电j工移失效的sEM 函叠- 集成电路T岂的可鞲件评价，就是利用微电f 柑 测瞄恂．通过加速试验获取基奉的可靠r}参数和 ofICC№洲 m№螂o№5娜p05ilIlll 、、器什H寸进一班端微时．肆线延迟会r州．虽然缩