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第9章 存储器和模数转换 9.2 随机存取存储器 RAM） ，它能随时从任何一个指定地址的存储单元中取出（读出）信息，也可随时将信息存入（写入）任何一个指定的地址单元中。因此也称为读/写存储器。 优点：读/写方便 缺点：信息容易丢失，一旦断电，所存储器的信息会随之消失，不利于数据的长期保存。 9.2.1 RAM 图92.1 RAM的结构框图 1. 存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。与ROM不同的是RAM存储单元的数据不是预先固定的，而是取决于外部输入信息，其存储单元必须由具有记忆功能的电路构成。 2. 地址译码器：也是N取一译码器。 3. 读/写控制电路：当R/W=1时，执行读操作，R/W=0时，执行写操作。 4. 片选控制：当CS=0时，选中该片RAM工作， CS=1时该片RAM不工作。 9.2.2 2114静态RAM MOS型RAM 静态RAM：管子数目多，功耗大，但只要不断电，信息就永久保存。 动态RAM：集成度高，功耗小，但必须定期给电容补充电荷，以防存储信息的丢失。 一般情况下，大容量的存储器使用动态RAM；小容量的存储器使用静态RAM。 1.RAM位数的扩展 将几片的地址端、R/W端、CS端并接在一起 9.2.3 RAM2114位数扩展 2.RAM字数的扩展 A11~ A0十二根地址线，组成4096字′4位的RAM 第9章 存储器和模数转换　　　 ? 9.3 可编程逻辑器件 PLD）它是由用户自行定义功能（编程）的一类逻辑器件的总称。 ? ? ? ? ? PLD中常用逻辑符号的含义 在图(a)中,? 多个输入端“与”门只用一根输入线表示，称乘积线。输入变量A、B、C的输入线和乘积线的交点有三种情况：(1)黑点“?”表示该点为固定连接点，用户不能改变。(2)叉点“(”表示该点为用户定义编程点，阿出厂时此点是接通的,? 用户可根据需要断开或保持接通。(3)既无黑点“?”也无叉点“(”时，表示该点是断开的或编程时擦除的，其对应的变量B不是“与”门的输入量。 ? ? ? ? 图9.3.2 PLD阵列中的逻辑符号 9.3.1? 可编程只读存储器 1.一次编程性只读存储器（PROM） 厂家制造PROM时，使存储矩阵（“或”阵列）的所有存储单元的内容全为“1”（或“0”），用户可根据自己的需要自行确定存储单元的内容。 ? ? ? ? 图9.3.3 由二极管和熔断丝构成的存储单元 ? ? ? ? ? ? ? 图9.3.4 PROM的阵列图 9.3.2 可编程逻辑阵列（PLA） PLA与PROM的结构相似，其区别在于PLA译码器部分也可由用户自己编程。 ? ? ? ? ? ? ? 2. 可改写型只读存储器(EPROM） PROM只能一次编程，而EPROM则可多次擦去并重新写入新内容。 擦除方法：在EPROM器件外壳上有透明的石英窗口，用紫外线（或X射线）照射，即可完成擦除操作。 3. 电可改型只读存储器(EEPROM） 尽管EPROM能实现擦除重写的目的，但由于紫外线照射时间和照度均有一定要求，擦除的速度也比较慢，为此，又产生了EEPROM。 9.3.2? 可编程逻辑阵列（PLA） PLA与PROM的结构相似，其区别在于PLA译码器部分也可由用户自己编程。 ? ? ? ? ? ? ? 图9.3.9 PLA阵列图 9.3.3通用阵列逻辑（GAL） 通用阵列逻辑（GAL）是一种可多次编程、可电擦除的通用逻辑器件，它具有功能很强的可编程的输出级，能灵活地改变工作模式。 GAL既能用作组合逻辑器件，也能时序逻辑器件；其输出引脚既能用作输出端，也能配置成输入端。此外，它还可以设置加密位。由于GAL芯片内部电路结构复杂，具体分析从略。