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光电薄膜的制备与性能分析 实验指导书 实验目的 二、实验原理 一) ZnO薄膜的制备 （1）磁控溅射法生长ZnO薄膜 ZnO 薄膜是一种新型的-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料, 具有优异的结构、光学和电学特性，在太阳电池、液晶显示器、热反射镜等领域得到广泛的应用。铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al-ZO)透明导电膜在可见光区内具有较高的透射率和低的电阻率，尤其是其光学带隙可以由铝掺杂比例进行控制。ZnO透明导电薄膜作为Si基太阳能电池中的抗反射层材料，在材料成本及可靠性方面具有自身优势，可以作为现有的Si3N4抗反射层的补充和替代。同时，具有导电性的ZnO还可以作为太阳能电池的电极材料，从而可以减少电池制造的成本，因此ZnO材料在太阳能电池中的应用成为一个热点，有着广阔的应用前景。磁控溅射方法生长ZnO薄膜，成本低，薄膜质量高，重复性好，是一种常用的生长ZnO薄膜的方法。 磁控溅射原理是将磁控溅射靶放在真空室内,在阳极(真空室) 和阴极靶(被沉积的材料) 之间加上足够的直流电压,形成一定强度的静电场E. 然后再在真空室内充入氩气,在静电场E 的作用下产生辉光放电：溅射过程中的离子可通过辉光放电得到，辉光放电是一种稳定的自持放电。它的最简单装置是在真空放电室中安置两个电极，通入压强为0.1-10Pa的氩气，当外加直流高压超过着火电压时气体就由绝缘体变成良好的导体，电流忽然上升，两级间电压降忽然下降。此时，两级空间就会出现明暗相间的光层，气体的这种放电就称为辉光放电。 氩气电离并产生高能的氩离子Ar+ 和二次电子e。高能的Ar+ 在电场E的作用下加速飞向溅射靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材表面发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子(或分子) 沉积在基片上形成薄膜,如图所示。 由于磁场B的作用,一方面在阴极靶的周围,形成一个高密度的辉光等离子区,在该区域电离出大量的Ar+来轰击靶的表面,溅射出大量的金属粒子向工件表面沉积;另一方面,二次电子e 在加速飞向靶表面的同时,受到磁场B 的洛伦兹力作用,以摆线和螺旋线的复合形式在靶表.随着碰撞次数的增加,电子e 的能量逐渐降低,传给基片的能量很小,故基片的温升较低。 图2 成核与生长过程示意图 当衬底表面只吸附少量生长原子时，这些原子是不稳定的，很容易挣脱衬底原子的吸引，离开衬底表面。所以，要想在衬底表面实现外延材料的生长，首先由欲生长材料的原子（或分子）形成原子团，然后这些原子团不断吸收新的原子加入而逐渐长大成晶核，他们再进一步相互结合形成连续的薄膜。其过程如图2所示。 本实验采用的是国产JGP500型超高真空磁控溅射设备。该设备为双室结构，即由主溅射室、进样室和磁力进样机构组成。主溅射室为圆筒形全不锈钢结构，尺寸为Φ500×H400(mm)，上盖可电动提升，前面开CF100观察窗，左侧有一个CF60观察窗；进样室为圆筒式前开门不锈钢卧式结构，装有样品库、RF反溅靶和样品退火炉，其中样品库一次可存放6块样品。反溅靶可对样品进行反溅清洗。退火炉可对样品进行最高800℃退火处理，温度连续可调；磁力进样杆在主溅射室不暴露大气条件下，可随时将样品送至各个工位或取出。 真空抽气系统的气路示意图如图3所示。采用涡轮分子泵＋机械泵。主溅射室选用FB600分子泵＋2XZ-8机械泵通过－CC150超高真空闸板阀主抽，真空度可达6.6×10-6Pa；进样室选用FB110分子泵＋2XZ-4机械泵通过－CC100超高真空闸板阀主抽，并通过－CF35角阀实现旁路抽气，真空度可达6.6×10-4Pa。 图3磁控溅射设备气路示意图 G1、G2、G3为闸板阀，V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V10为普通阀门 真空测量：主溅射室采用DL-7超高计及ZDF－2数显复合真空计测量（全部采用金属规管）；进样室采用上述ZDF－2数显复合真空计，玻璃规管测量。 主溅射室内采用多靶立式溅射机构，靶在下，基片在上，向上溅射成膜，主溅射室下底盘上有四个靶位，分别为直流靶((=60mm)、国产射频靶((=60mm)、电磁靶((=60mm)、进口射频靶((=50mm)。加热转盘上带有一个加热炉，样品加热温度0～800℃连续可调。 （2） ZnO薄膜的退火处理 磁控溅射过程是一个远离热力学平衡状态的过程，溅射出来的靶原子遇到相对巨大的衬底来说，很快就失去了能量，原子的运动距离有限，生长出来的具有一定的缺陷。对薄膜进行退火处理可以提高薄膜晶体结构的完整性，减少薄膜中的缺陷，激活薄膜中的掺杂原子，对提高薄膜的性能具有很重要的作用。在退火过程中，需要根据材料本身的性质，选择合适的退火