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第14卷专辑3 中国有色金属学报 2004年10月
V01.14S3 TheChinese ofNonferrousMetals 2004
JournaI Oct.
文章编号:1004—0609(2004)S3—0478—04
ZnO基薄膜载流子传输特性研究①
边继明,李效民,张灿云,赵俊亮
(中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050)
摘 要:通过对ZnO基薄膜的载流子传输特性研究。实现对ZnO基薄膜电学性能的控制,解决氧化锌薄膜中难
于实现有效受主掺杂的困难,提供一种制备P型ZnO膜及其同质p_n结材料的新方法,以满足制备ZnO基短波
长光电子器件的需要。采用超声喷雾热解法,以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟
影响规律。研究结果表明:所得ZnO基薄膜结构均匀致密,表面光滑平整。在优化工艺下制备了氮铟共掺杂的p
型ZnO薄膜,电阻率约为1.0×10-3n·cm,载流子浓度约为1.0×10”/cm3。通过在P型ZnO薄膜上沉积未掺
整流效应。
关键词:P型ZnO薄膜;同质p-n结;超声喷雾热分解
Carrier characteristicsofZnObasedfilms
transportation
BIAN Xiao—min,ZHANG
Ji—ming,LI Can—yun,ZHAO
Jun—liang
(State of PerformanceCeramicsand IⅥicrostructures,
KeyLaboratory Superfine
High
Instituteof of
Ceramics,Chinese 200050,China)
Academy
Shanghai Sciences,Shanghai
filmshave inthefieldsofultraviolet andLDsthanks
Abstract:ZnO detectors,LEDs tO
greatpotentialapplications
its
wideband eV)andexciton meV)atroom this
gap(3.37 high bindingenergy(60 temperature.Inpaper.undoped
andN—In ZnOfilms on ultrasonic
were
codoped depositedSi(i00)byspraypyrolysis.Thelow-resistivityp-type
3 X
ZnOfilmwiththe ofabout1.0×10 carrierconcentrationofabout1.0 1019cm一3,and
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