辐射效应和粒子输运蒙特卡罗模拟研究进展.pdfVIP

中国核科学技术进展报告（第一卷） 计算物理分卷 Progress Report on China Nuclear Science Technology （Vol.1 ） 2009 年11 月 辐射效应与粒子输运蒙特卡罗模拟研究进展 黄流兴，牛胜利，朱金辉，谢红刚，卓 俊，韦 源 （西北核技术研究所，陕西西安 710024 ） 摘要：粒子输运蒙特卡罗方法是模拟研究半导体器件和系统辐射效应物理过程的有效途径。基于GEANT4 蒙特卡罗 程序包，模拟高能质子和中子辐照半导体材料的主要物理过程，研究得到反冲核分布、位移能量沉积等等次级过程 信息；研究分析了低能电子与物质相互作用特性及相关模型和参数，建立了混合蒙特卡罗模拟方法和程序，为辐射 效应微剂量分析和效应机理奠定基础。以能量沉积为切入点，研究建立了蒙特卡罗方法与有限体积法相结合的耦合 算法，实现了粒子输运与器件辐射效应的模拟一体化。 关键词：辐射效应；蒙卡方法 GEANT4 ；低能电子；混合模拟方法；有限体积法 微电子器件和系统在空间辐射环境中受到辐照会出现多种效应导致功能失效甚至毁伤，其实质 是射线粒子（高能质子、中子、伽马射线和电子）在器件中输运及与器件相互作用沉积能量引起总 剂量效应、位移效应和单粒子效应等，蒙特卡罗方法是模拟射线粒子在器件中的能量沉积过程的有 效方法。本文结合几个实际物理问题介绍了辐射效应和粒子输运蒙特卡罗模拟应用研究进展，包括 GEANT4 蒙特卡罗程序包在辐射效应模拟中的应用；低能电子混合蒙特卡罗方法的建立和应用；蒙 卡方法与有限体积法的耦合算法的建立及其在剂量率瞬态响应模拟中的应用等。 1 GEANT4 蒙特卡罗工具包在辐射效应模拟中的应用 GEANT4 是欧洲核子研究中心（CERN ）集合了世界范围内的物理学家和软件工程师利用面向 对象技术的 C++语言编写的用于模拟粒子输运的蒙特卡罗模拟工具包[1] ，它拥有十分齐全的物理过 程模型，包括电磁物理过程、强相互作用物理过程和可见光物理过程，可以模拟质子、中子、伽马 射线和电子的输运问题，其功能包括：粒子轨迹绘制、探测器几何形状设计、物理模型的选择添加 和数据分析。由于GEANT4 使用方便，可以灵活调用各种物理过程模型，能够模拟各种粒子以及次 级过程的输运信息，在半导体器件辐射效应研究中得到广泛应用。下面介绍利用GEANT4 模拟中子、 高能质子辐照半导体材料和器件的研究算例。 1.1 中子位移Kerma 值计算 GEANT4 可以通过模拟中子与硅原子的相互作用，并跟踪反冲原子的运动，计算出不同能量中 子在硅材料中的电离（IEL ）和非电离（NIEL ）能量损失，从而给出硅中位移能量沉积，即位移Kerma 值。利用GEANT4 程序包模拟了0.01~20 MeV 中子入射硅材料的输运过程，为了降低方差和提高计 算效率，采用了强迫碰撞技巧，使入射中子与靶原子核强制发生碰撞，跟踪次级反冲核的输运过程， 记录反冲核产生的位移能量沉积，计算给出不同能量中子硅材料位移Kerma 值如图1 所示。模拟计 算结果与文献[2]计算结果一致。 1.2 高能质子辐照SRAM 器件引起的单粒子翻转效应模拟 宇宙射线中的高能质子入射到卫星和航天器中的半导体器件时会引起单粒子效应，单粒子翻转 效应是其中一种重要效应。所谓单粒子翻转是指单个粒子入射半导体器件时，在存储单元的灵敏区 内形成的电子－空穴对并被灵敏区收集，当收集到的电荷超过临界电荷时，该存储单元的存储状态 就会发生翻转。 1 )1 0 0 n r a b m - V e N J O Y M 1 0