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Yb(OMeP)(CoP)配合物的近红外发光.pdfVIP

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Yb(OMeP)(CoP)配合物的近红外发光 孟建新- 李敬辉2 苑晋宁2黄伟国2谢国伟2 (1.暨南大学化学系广州510632; 2.香港浸会大学物理系九龙塘香港) 搞要本文研究了Yb(OMeP)(CoP)配台物的近红外发光,发现该配合物中 Y驴+离子的发射光谱与其他配台物的光谱不同,呈现出很好的精细结构。为解释 这种光谱分裂,提出了Y护+离子的精细能级图,并根据Maxwell-Boltzmann定律 对Yb3+配合物光谱形状及其随温度的变化行为进行了详细的解释。 关羹词Y驴+卟啉配合物近红外发光 ^ 三价镧系离子,特别是E一+,Tb3+,D,+和sm“等的配合物的发光具有线宽窄、寿命 长的特点。早已得到广泛的关注并在荧光免疫分析及时问分辨显微分析等领域得到了成功 的应用。但是,这些离子的发光都在可见光区域。近来,由于注意到近红外发光用于荧光 免疫分折、激光系统及光信号放大等方面的特殊的优点,三价铜系离子特别是E,+,Yb3+ 和N一+等的茂畚物的近红外发光越来越引起人们的兴趣。 Yb-卟啉配合物通常可发出较强的近红外荧光,这种荧光已成功地用于光纤激光诱导 荧光光度法来确定活体中癌变的位置,使癌变位置对正常位置的信号对比度提高了10—40 倍。显然,进一步提高Yb-Ub啉配合物的发光强度将有助于检测效果的进一步提高。因此, 我们合成了一系捌的Yb-四苯基卧啉配合物,并对其近红外发光性质进行了研究。同时我 们还发现其中一种Yb_四苯基卟啉配合物的近红外荧光呈现出很好的精细结构,这种精细 结构随温度的变化发生奇特的变化。本文对这种精细结构的形成进行了分析,并基于 Maxwen-]]oltzmtmn分布定律对这种随温度的变化行为进行了解释。 配合物的台成方法和结构分析结果将另文报道。配合物的近红外发光的测量采用一自 己组装的荧光测量装置进行。进行发射光谱测量时激发光褥为氲离子激光器的512nm发 射线,典型功率为500row。进行激发光谱测量时激发光源为1000W氙灯,并使用光揖单 色仪分光后得到单色激发光。激发光经20Hz的斩波器调制后照射在样品上。样品发出的 荧光经透镜收集后聚焦在光栅单色仪的人射狭缝上。为消除二级散射光对荧光测量的影 响,在单色仪的入射狭缝前放置800nm的截止滤光片来滤除散射的激发光。样品荧光经单 色仪分光后用液氮冷却的InSb红外检测器检测,所得电信号经锁定放大器处理后用586 428 电脑记录光谱。在进行低温测量时,样品被放置在液氮冷却的样品架上,样品的温度可在 IOK到300K范围内调节。 2结果与讨论 许多Yb-Ⅱl,啉配合物都可在近红外区发荧光。典型的发射光谱的形状如图1所示。通 发射。这种发射的产生通常认为是由于配体的卟啉环吸收能量后传能到丫护+离子的发射 能级,再由Yb3+离子发射所产生。因此呈现出特征的Yb3+离子的发射。我们对系列Yh. 四苯基卟啉琨合物的近红外发光的研究表明,卟啉环的结构特别是取代基的种类对Yb3+离 子的发光效率有非常明显的影响。给电子取代基如~OcH3基团的取代可显著的提高 Y护+的荧光。同时,使用其他配体取代Yb_卟啉二元配合物中与Yb3+离子直接配位的水分 子也将显著提高Y妒+离子的发光效率。 I{ 瓣 ∞\ ∞Z 趟椒蛊 \拥。|重 三 呷炎如 图I不同温度下Yb_卟啉配合物的 图2 Yb(0MeP)(c0P)的结构示意瞄 典塑发射光谱 所示。该配合物的发光呈现出与其他配合物光谱不同的特殊的精细结构,同时在不同的温 度下该谱峰的形状也发生显著的变化,如图3所示。对比不同温度的光谱可以发现,各个谱 峰的位置基本不发生变化,但谱蜂的相对强度发生很明显的变化,同时在较低的温度下谱峰 的宽度也明显交窄。根据温度变化对谱峰强度变化行为的不同可将这些谱峰分为两组。以 Aa(n=I一5)表示的波长较长的一组峰其强度髓温度的升高而降低,而以Bn(n=1—5)表 示的波长较短的一组峰其强度随温度的升高而升高。为解释Yb(OMeP)(CoP)配合物的这 种光谱

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