CMOS电路ESD潜在损伤定位分析的研究.pdfVIP

锄S电路酷D潜在损伤定位分析研究 来萍刘发罗宏伟 囊耍： _奉文阿速了对a∞s电蓐进行的静电蕨电(E睡)潜在囊傍定位分析研究． 夼船了几肴较其薹的擐倍现I已分薪了相关曲摄傍机理。并研究了潜在攮傍电蓐的袁毳 特点爰箕与I—V特性和静态电流变托之闻曲关舂． 美●t!雄fllos电蓐ESD潜在誊错定位 l橇述 (310S电路的ESD港在损伤从本质上来说也是一种失效，龇各种失效分析技术同样 适用于ESD潜在损伤的定位和分析．本文主要韵研究内容是：对经历了BsD试验，在 I—v特性和尊杏电流方面表现出潜在擐伤的钳皤电路潮j：解钢分析，采用光学显徽镜、 液蠡、摄描电囊(s明)、化攀膏坎等手段，掇据I-v特性和静舂挂绚表蟹，有针对性 曲进f谳伤窘瞄分析了相关绚损伤机理，并研究潜在损俦电路姆衰理幡点及其与I--V 特性和■畚屯藏变化之侗的美系． 2a豳S电路ESD潜在损伤电路的几种典型表现 2．1囊船屡舟质释率导体乏饲曲界面击穿 7 理在多蠡a瞒电路的■^簟出嗤口都设计有ESD保护甩络，这时的EsD摄份和失 效往往发生在保护随鳐而菲内蘸屯珞．在肘JC4000系磷中在I—V特性和lI毒小电藏参 藏方面衰现出灌在损伤特薤盼电路进行解捌分析发理，多数电路在保护弼络有明显摄伤 现象，著表现为输入和输出i-l金晨化窗口与电源金属化之间的介质一半导体界面曲击穿． 围1是真星照片，图2是翻面示意田，从圈中可以看弼击穿发生在电瀛‰金属化跨越 输入或输出螬的低阻连接桥处． 介质和半导体界面的击穿也是多种CMOS电路ESI)损伤失效的典型表现，其损伤的 帆理是介质一一半导体界面发生了过电压击穿，损伤严重对还有过热：鼬黢现象．其损伤 过程是：当相距loire(见固Oh)的输入螬和电漂一之间受翻一个大于lkV韵放电电压时， 兢会产生一个大于Io。v／q的瞬问电场，由于介质一半导体界两存在大量的缺陷和杂质． 其横氨击穿强度较低，在上述电场强度下就会发生界面击穿． 由于jc4000系列的多个ESD损伤和失效电路的ESD舟质一半导体击穿都出现在电源 (v蛐)金属亿跨越输入或输出端的低阻连接桥处，说明这是ESD敏盛结构，应进行设计 ·笛l· 方面的改进。具体的改进方法有：一是改变‰金属化布线，蹬免跨越结构；二是优化连 接桥的工艺和尺寸，如增加轿的“长度”；三是增加输出和电源端的ESD保护电路。 (B)光学显徽照片 (b)《8)的局部放大的SEM像 (c)光学置徽照片 (d) (c)的局部放大的s肼像 图1介质一半导体界面击穿的典型形貌像 图2介质一半导体羿面击穿的翻面示意图 ·252· 卫2。叠晨化膏13拐角叠帕雕螭捐赉和或介质一半导俸击穿 ， 、当输入、辘出的盘晨他窗口与电漂或地之同的距离较远时，ESO损伤套技生在垒量 化窗口的拐角处，使保护=极管的用发生掼伤甚至也会出瑰介质一半导体击穿．主要的 损伤机理墨由于拐角处电霸集中、场强较高，导致雕结损伤或发生介一半击穿．蕾3(a) 是一电路输入金属化窗口拐角处同结报信的光辐射墨徽图像，圈3(b)是另—粹晶在拐 角处发生夼赝一丰导侮击穿的光学显徽蒜片． 2j3。辩阵俺区接■孔摄份 嘲4ra20的EsD潜在损伤以及失效电路表现为部分输入或输出端口的I--V静性 变软、漏电增大．对样品进行解剖分析时发现，损伤都发生在输入保护网络以及输出驱 动的N舯s管(没有输出保护结构)的满区接触孔，并有指向橱区的络融缺骼．圈4(a) 是输入保护删∞管漏区损伤的液晶图像，图4(b)是将钝化层和金属亿剥离后的光学显 徽图像。图5是输出]490S管相应的图像，图6是损伤鲍削面示意圈。 这种损伤现象也曾见于其他报道中，其主要机理是：ESD高电压在NMOS管放电时， 首先使I4MOS管精结发生击穿、电流加大、结温升高。硅在较高温度下电阻产生负温系数、 即置度升高阻值下降．由于硅本身的缺珞，在其薄弱环节产生电流集中现象．电流集中 区的温度进