GaAs+MESFET栅极漏电流退化机理分析与新筛选方法的研究.pdfVIP

钿^eIESFET据极涓电流退化 机理分析和新觥方法研究 费庆宇黄云 ． (信息产业郝电子五所， 广州510610) 内容摄赛高温存储试验后某种Ga^sMESFET的橱一满极正向和反向着电流增大．为分 析失效机理．测定了试验莆后搪一蔫板低压正向电流随温度的变化，定性估计了试验前 后复旨一产生中心浓度曲变化，确定肖特基势垒接触有霖层的复合一产生中心浓度增加是 两种鬻电流增大的原因，为高温下GaAsMESFET的肖特基势垒接触存在橱盎属下沉和扩 散提供了证据．根据栅一蔫投低压正向电流随温度变化．本文还初步研究了一种筛选肖 特基势垒接麓的新方法． 1 引言 经高温存储试验．GaAst压SFET的栅极肖特基接触退化的主要失效机理是栅金属下沉 和据金属扩散，因而引起有效沟道宽度减小或淘道掺杂浓度的下降(沟道掺杂浓度的下 降是出于金属杂质引起的深能级的补偿作用造成的)，’这些结构上的变化对器件电性能的 bfl!SFET 影响包括：沟道电阻R糟大·夹断电压V满小，零栅压漏极饱和电流Id，，减小．GaAs 的橱极肖特基势垒接触退化的失效分析，必须提供栅金属下沉和栅金属扩敷的证据．为 达到此目的．前人采用过不同的实验方法。用俄歇电子能谱对比分析未试验和试验过的 肖特基势垒接触样品的各种元素浓度随深度的变化，取得令人满意的结果．然而，分析 线宽为亚微米数量级的实际GaAs娅SFET的栅极肖特基势垒接触．俄歇谱仪的横向分辨率 ()0．3urn)时常不能满足要求。必须专门制备胖橱器件作为铡试样品，制样手续十分繁 杂．用高频c-V法测定同一样品试验前后沟道载流子浓度随深度分布的变化。可获得栅金 属下沉和栅金属扩散的信息。然而，只有在试验应力较大，金属扩散比较严重．深能级 中心浓度足够大，足以发生补偿作用，高额c-v法才能奏效。深能级瞬态谱(DLTS)可用 于测得试验前后栅金属下沉和橱金属扩散引起的产生一复合中心浓度的变化，然而．DLTS 法也存在类似于c—V法的灵敏度不足的问题。不仅如此，C—V和DLTS测试还要求样品有 MESFET器件 足够大的结电容．时常需专门制样．制样手续繁杂．本文叙述如何利用GaAs 的肖特基势垒接触的低压正向电流随温度的变化来定性估计产生一复合中心浓度的变 化，为失效分析和筛选提供一种新方法． ·192· 2原理 复合引起的电流密度近似由下式给出： 2 JrJr0[exp(qVl2kT)一l】 w是耗尽层的厚度，f，是耗尽区中的寿命。总电流密度由下式蛤出； 3=j。jrJ? =厶[exp(qV／kT)一1]+‘。[exp(qV／2kT)一1] 此处，按照热发射理论．‘o=A。T2 exp(-qpb／2kz3。偏压大于4kT／q时， 热电流与复台电流之比与下式成正比： r，exp[q(E。+V一2ep^)／kT) 比值Jt．／J，随『，、V和E月加．并随牟～减小．对于n型半导体，当V比较低时．因为 t+矿一2见通常是负的，所毗这个比值随T增加．因为，复合分量在高势垒低寿命的 材料中、低温和正向偏压下相对来说可能更重要．在砷化镓中就比在硅中重要得多。在 复台电流比较重要的情况下．正向电流随温度的变化表现出两个激活能．高温下激活能 趋近于热发射分量的特征值讫一V，低温下的激活艟接近复合分量的特征值 (E。一g)／2。若正向电流随温度变化只有一个高激活能。说明复台中心浓度较小。复 合电流较小．若只有一个低激活能．说明结特性不正常，有电阻成份． 复台电流是使肖特基二极管偏离理想行为的最逶常原因。复合电流加上理想的热发 射得到二极管的特性。复合电流使理想因子n值偏离1，并使指数前面的项偏离理想数值 』。T2