Ga-N-C-H体系的热力学分析.pdfVIP

Ga-N．C．H体系的热力学分析 李长荣杜振民卢琳张维敬 (北京科技大学材料科学与工程学院) G州半导体MovPE外廷生长时，N叱分辟对于。喇半导体：外廷生长的成分空闻曲髟畴。热 力学计算培果表明：随着NH，分■率的提高。用于生长0州外廷层的气-固两相区运蠢变小． 鲰■了赛氟生长进程中Ⅵ¨比要习沸晴的朋。低NH|分●僻唷助于G棚舱■有相_^相 外延生长。 1．弓l肓 竟黼G州化台物半导体在鬣电子和光电子镁唬脯广闫的应用莳景，近年来褥翻有关学 者的蕾嘲美洼。量新的矾兜中采用多种参弹的G啪崩备技术，以研究外廷层的形貌、晶态、光 sl、 方法都为我们舞寻其热力学和动力学过翟提出了研究谭遥。就G邸H3州H，-H2体系的MoV陀 外延生长来湃，虚甩自仂学平衡计算．在目蔼文■报道的生长条件下．不麓够蠢足G州雉蓐生 长的基奉要求，但赛跷中却虞挑生长出了性蕾良好曲GaN井廷层。据文棘报道，NH，的舶I 受动力学过震控■，NHl分解宰与反应■度、反应压力、息气体藏逮、囊气性质等基素有关【ll】。 史嘲瞅蠛力学计算球骤讨NHl船剜■事对G州外匿生长妁成分空间引起的改变及其影响规 章。 2．计算方案 参考实际G酬半导体生长参数，热力学计算体系中考虑的范围为：Ga的总摩尔分数为 1T旷。同时出于 xml矿一1矿，五族元素怎量与三嫉元素总量之比为V，ITI=x(N冰(G户o．T 323K (10如℃)．压力为标准大气压101325P盘(1咖)。 为了便于对比，首先对于两种极端情况进行了热力学分折。一种极端情况是I限定体系中氨 气完全不分杆(圈1．a)；另—种搬螭情况是体系为完全的热力学平衡(图1．f)。随着NH，分■ 事曲II商，相区状态将由前—种撅端情况逐步变化甄后一种极端情况(圈I．a至图l-fk 觏力学H算及图形绘■使用了mm“aIc计算软件【17)。为了分晦气的剁鼻事对棚区状 态的髟响，本文还建立了专门的G州oH系热力掌致据文件，这项工作将另作报导。 177 a o × X ： ： Z Z × X ■ n = = XlGdJ XCG-I 《I·b) 懈 R-们 懈 S瞎帅b翻m岫 言 言 懈 o g × 薹 ≥ 僻 H岫讨● 主