IGBT驱动模块特性的研究.pdfVIP

IGBT驱动模块特性研究 曹丰文 邓焰何湘宁 f●}lajfl目_JII■ 苏州职业大学苏州215011 0027 浙江大学电气工程学院杭州31 报要t夼绍了IGBT的驱动特挫及对驱动电路的要求，对凡种驱动模块的驱动特性进行了割试 研究，并进行了比较． 奴词，驱动特性国试比耽。nc 一、弓f官 各种高速全控型功率器件的问世，使电力电子技术具有了垒新的面貌，但也不尽如人意． GTO、GTR、MOSFEP等虽备具特色，但也各有不足，使它们在新型电力电子装置中的应用 受到局限． 近年来出现了许多新型复台器件．它们将前述单极型和双极型器件的优点集于一身，扬长 避短，使其特性更加优越．具有输入阻抗高，工作速度快，通态电压低、阻断电压高、承受电 流太等优点，因而发展很快．应用报广，已成为当前电力半导体器件发展的重要方向。其中尤 以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)最为突出，在各个领域中有取代前述全控型器件的趋势．因 此对IGBT驱动特性和驱动电路的特性进行研究．对于IGBT的应用阻反应用电路的设计、开 发有着十分重要的意义． 二，lGBT的驱动特性 1GBP是由MOSFET和晶体管技术结合而成的复合型器件。它的门扳驱动条件密切地关 系到它的静态和动态特性．门极电路的正偏压Vos、负偏压—ⅣGs和门极电阻RG的大小．对 1GBT的通态电压、开关对间、开关损耗、承受短路能力以及dr／de电流等参数有不同程度的 影响．门极驱动条件与器件特性的关系如表1所示，门极正电压vos的变化对lGBT开通特性t 负载短路能力和dVDddt电流有较大影响，如图1、圈2新示。门掇电压与开通损耗的关系曲 线亦如图2所示．门极负偏压则对关断特性影响较大，如图3，图4所示．门极电阻R6对开 关损耗、diD，dt的影响如图5、雷6所示． 表l 门极驱动条件与器件特性的关系 ，．。。I●●|，．，，，攀，．，节=’，。，●，。，．，。，，，．，，。，，，i； 特性 pkhJ ％．晶 t驴E哑 负载短路艟力 电流d、t／dI +V∞增大 降低 降低 降低 增加 jVjs增大 略减小