LnBaB-%2c9-O-%2c16-%3aGd-%273%2b-(Ln%3dLa%2cGd%2cY%2cLu)的发光性质.pdfVIP

杨智1林建华2苏魁曾2 (1．云南孵范大学化学系昆明650092 2．北京大学化学与分子工程学f完稀土材料 - 与应用国家实验室北京100871) tm垴雎龄。摹光分光光度计测定了G护“q能态的位量和G一+高子的双光子发 第二十芜子的发射为6Pj—STpz(一310nm)。 美羹词稀土确酸盐发光母d峰^ 7引7寸．、 {m I引言 G一+离子外层具有4f7电子杓型，其基态为‘sm，激发态按能量由低到高顺序为6Pj、 et81报道了在 材辩韵墓质，Ga3+离子同时还可以充当能量传遵的中间体。最近，Wegh 在l,fGd^：宅u3+体系中通过荫步能量传递实现了红色双光子发射。红色双光子发光现象的 发现，使麓瞢高毁*vuv荧光材料成为可能。基于同样的瘴理，人们可以研究、开发出绿色、 蠢色双光予发射的材料。由手氟化绚基质的在真空紫井波段吸收差和发光效率不高，因此 还需寻找其他体系，以便得到稳定的、发光效率高、傲置用的真空紫外激发的荧光材料。 最近：我稍报涟了GdB峨Ol硝§体的‘vUv吸收光谱及G一+的双光子发射光谱。本文 子的双光乎发光性质。 “ 2实验 以L啦稳靠盼．99％)，H了B氇(A．。R)和BaCO，(A．R)为原料，商温同相反应台戚样品；用 D／max-2400 啦瞒作删帮培养伽B越01掸晶。粉束样品的钧相分断在日本理学I【i妒ku M850 型：x射线衍射杖上完成，均为单一橱相。激发光誊栅发射光潜在经校正后的Hitachi 螫荧光分光先度计上完成；用sIlimad¨UV-3100-VlS#iTIR ReeordlngSpectmphotometer舅 421 ■—百FFrF…～一 V吸收光谱。 定QlBa玛016晶体的u 3结果与讨论 3．1‘函蔬。：G矿+(h：h．瑚■LⅡ)晶uv凳膏 要实现C．d3+离子的双光子发射，首先安确定基质中Gd3+ ==皇野 4—5d能态和pf跃迁的位置，脯拳4PSd柏蠢位于9岛．辣态 !!苎鼍{；≯”j8 之上时，G一+离子才能发生双光子发射。由于G毋～魂番触 4tSd能态的位置一般较高，在光瓣韪，丽G啦+离子的!q．v,uv 能态则部分在uv光谱区，这样用普通荧光分光光度计就能确 定Gd3+离子的6 GJ能态的位置。因此，我们研究了．LnBa玛OⅢ 菇嚣础m G一+(0．10t001％)(Ln=La，G，d，Y，Lu)系列亿合物的．uY镦 发光谱和uv吸收光谱。从图2 L删ego川G一+的激发光谱 卑蛐秽… 一Lgp面日 ：P抛 图知，它们均有3组吸收峰，分别归属为从基态‘s7／2到激发 ：===携 态6Ij(275nm)，6Dj(245—255nm)和6Gj(200nm)[b々激发跃迁，其 中