电子元器件中的薄膜新技术.pdfVIP

全曩电子无器胖应甩蔓术研讨套论文善 电子元器件中的薄膜新技术 西安工业学院严一心 (西安 710043) 摘要奉竞介绍了用于电子元器件镀腱的两种新的键膜技术：离子束辅助蒸发镀膜厦非 平衡磁控战射镀膜。 关t词 离子束辅助薹发非平衡磁控藏射 薄膜技术在翻备电子元器件中起着非常重要的作用，例如采用真空熹镀法或溅射法镀制薄膜 混合集成电路、薄族电阻器、薄膜电容器、薄膜网络器件、薄膜表面渡器件、透明导电腆……等等。本 文介绍近几年来发展起来的两种新的镀膜技术：离子柬辅助蒸发麓虞、非聚鸯蠢控蠢射饺壤。 l 离子柬辅助蒸发镀膜技术 离子柬辅助蒸发镀膜是近年来受到日益重视的新技术：因为且前大量使用的热蒸发技术镀翻 + 。 I 的薄膜存在结构松驰、膜屡性能不稳定、寿命短、牢犀度差等缺点，根据薄膜的微观结构分析，是因 热蒸发镀箭膜层呈拄状结构．如图1所示。在柱状阿隙中，潮 气的吸附和参逢造成上述缺陷。产生柱状结构的原因是由于 热蒸发的原子或分子在基片上的能量程低(大约0．2电子 伏)，表面的迁移率很小，加上已经淀积的原子或分子造成的 阴影，使薄膜具有显著的柱状生长的特征。离子柬辅助蒸发膜 是在热蒸发镀膜的同时，用离子束轰击，把离子柬携带的能量 传递给原子或分子，增加它们的迁移率，可使膜层致密、均匀， 提高薄膜器件的稳定性及抗腐蚀能力；改善其机槭性能；可以 在较低的基片温度下镀膜，从而缩短镀膜时间，提高工作效 率，节省水电消耗6离子柬辅助镀膜装置如图2所示。 由腰2可见，只要在现有的真空镀膜机上安装一台宽柬 离子源，就可实现离子束辅助镀膜新工艺。宽束离子潦产生 田I薄膜的柱状结构 啦离子束的柬流密度、能量、入射角可以精确控制。实现离子 束辅助蒸发髓膜的核心部件是宽束离子源。目前国内外使用较多舳是热阴极考夫曼离子源。但其使 用寿龠短。由西安工业学院研制的冷明极潘宁宽束离子源具有结构狮单、操作方便、工作稳定、寿命 长等特点，该品荣获部级科技进步二等奖．并在国内几十台镀膜机上安装使用．取褥良好的社会效 益与经挤效益。 宽柬冷嬲楹离子谭的基本工作原理，如图3所示。它是靠离子轰击阴极表面产生的二次电子来 维持放电的。从阴极发出的二次电子，在阴极电压加速下穿过阴掇圆筒。下阴极又使电子反射回 来。这样，电子在阴极与下阴极之间来回振荡。同时，在井加轴向氆场作用下．电子作螺旋运动，大大 奎曩电予无i井应用技术研讨套梧文亲 i I li 加长了电子的运动路程，提高了气体电离几率，在低气压(10‘2乇一10。乇)下，形成辉光放电。气 体放电使整个放电室内形成等离子体，在引出极电压的作用下．离子从等离子体中引出。 ‘ 2 I 2 3 4 田2 ^子柬辅助蒸发袭量 图3 宽柬砖阴撮^子蠢工作愿曩示蠹圈 l一111于一；2一暮片：3一挡板“一羹生嚣 1一阴撮；2一阳援；，．下啊簟14一引出扭 2 非平衡磁控溅射技术 磁控穗射技术在电子工业中有着广泛应用，如制作导体幕膜、舟质蕞膜、半导俸蔫膜、超导薄膜 ……等等，与其他镀膜技术相比，它的优点有：靶的寿命长；不采用有毒性。腐蚀性和危险性的气体； 操作维肇方便；可以采用台金靶、复台靶、镶嵌靶等来制取满足成分要求的合金薄膜、多层薄膜。由 于溅射赣膜■于非热平衡沉积过程，因此也他制取一些非晶奋物质薄膜和亚稳相薄膜等。目前国内 采用的薯控溅射技术均是平衡礅控溅射．如图4所示。通过外磁扳表面的磁通量与通过内磁摄表面 的磁通量是相同韵为早衡磁控。若通过外磷投表面的磁通量比通过内磁扳表面的聋通量强(或弱) 则为非平衡麓控，如匪5所示。平衡鬻控溅射技术由于低电离度及镀膜过程中的阴影效应，导