硅尖的制备.pdfVIP

硅尖的制备 王艳华 , 孙道恒 ( 厦门大学机电系 , 福建 厦门 36 1005) 摘要 : 隧道硅尖的制备是微机械隧道传感器制作的一个重要组成部分 ,通过对 ICP 刻蚀和湿法各 向异性刻蚀工艺制备硅尖实验的研究 ,得到了合适的工艺条件以及较理想的硅尖 。 关键词 : 硅尖 ; 各向异性刻蚀 ; ICP 中图分类号 : TN 304 12 ; TN 305 　文献标识码 : A 　文章编号 : 167 14776 (2003) 07/ 080 16403 The fabrication technology of sil icon tip WAN G Yanhua , SUN Daoheng ( Dep t of M achi nery Elect ronic Engi neeri ng , X iamen University , X iamen 36 1005 , Chi na) Abstract : The fabrication technology of silicon tip is an import ant constit uent of micro t unneling sen sor . Through st udying t he p rocess of ICP and anisot ropic etching associate wit h bonding technology , ideal silicon tip s and suit able p rocess conditions were obt ained . Key words : silicontip ; anisot ropic etching ; ICP 现出各向异性 ,即不同晶面具有不同的腐蚀速率 ,在 1 　引　言 ( ) ( ) 硅的特定表面如 100 面要比 111 面的腐蚀速度快 随着空间技术 、国防、工业等领域的发展 ,要求 数十倍或上百倍 。已有各种机理要素来说明刻蚀速 所使用的传感器和执行器的体积越来越小 ,灵敏度 度的方向依赖性 ,但是没有一个能完全解释清楚 。 ( ) 越来越高 。人们对电子隧道的研究发现 , 隧道效应 这些要素包括 111 晶面的密度最大 , 四个共价键中 可以解决传统传感器小型化带来的灵敏度降低的问 有三个在此晶面下 ,因此刻蚀剂难腐蚀该晶面 ;拥有 题 ,从而许多研究机构纷纷致力于微机械电子隧道 最高键密度的表面刻蚀最快[2 ] 。 传感器的开发研制工作[ 1 ] 。而这些传感器制作的 ICP 刻蚀由于刻蚀速率高且刻蚀均匀故深受欢 关键技术之一就是隧道微硅尖的制作 。现在已经发 迎 。在类别上 ICP 属于物理化学腐蚀 , 本质上是 展了多种方法制备硅尖 , 比较基础的有干法和湿法 R IE 。在物理腐蚀中利用放电时所产生的高能惰性 刻蚀 ,其中湿法刻蚀又分为各向同性和各向异性 。 气体离子如氩离子对材料进行物理轰击 ,这时 ,能量 这里 ,我们研究了使用 ICP 刻蚀和湿法各向异性反 通过弹性碰撞传递给衬底原子 , 当这能量超过结合