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变 频 节 能 及 软 起 动 系 统 IGBT在实际工程中的应用 肖彪 (新余钢铁有限责任公司自动化部，江西 新余338001) 摘 要：介绍IGBT的特点、工作原理以及几种典型应用电路的结构，总结 了IGBT电路的使用特性及检测方法。 关键词：IGBE 驱动；变频电源 TheIGBTAppliedinPracticalEngineering Ⅺ A0Biao (XingangCo．,LTDAutomationDepartment,Xingyu338001，China) Abstract：Thecharacteristics，workingprincipleandseveraltypicalelectriccircuitapplicationoflGBTareintroducednadtheapplication characteristicnaddetectionmehtodsofIGBEaresummarized Keywords：IGBT；drive；variable-rfequencypowersupply 在正常状态下IGBT开通越快，损耗越小。但在开通 0引言 过程中如有续流二极管的反向恢复 电流和吸收电容 IGBT以其输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、 的放电电流，则开通越快，IGBT承受的峰值电流越大， 阻断电压高、承受电流大等特点，已成为当今功率半导 越容易导致IGBT损害。此时应降低栅极驱动电压的上 体器件发展主流器件。合理驱动保护是IGBT安全工作 升速率，即增加栅极串联电阻的阻值，抑制该电流的峰 前提条件，特别是选择合理的栅极驱动 电压U 。和合理 值。其代价是较大的开通损耗。利用此技术，开通过程 的栅极串联电阻R，以及过电压过电流保护尤为重要。 的电流峰值可以控制在任意值。 IGBT模块的应用电路有半桥 电路逆变、全桥电路逆变、 由以上分析可知，栅极串联电阻和驱动电路内阻 三相逆变、斩波应用等。 抗对IGBT的开通过程影响较大，而对关断过程影响小 一 些，串联电阻小有利于加快关断速率，减小关断损 lIGBT模块驱动及保护技术 耗，但过小会造成di／dt过大，产生较大的集电极电压尖 在实际应用中，IGBTUg。幅值影响着饱和导通压降： 峰。因此对串联 电阻要根据具体设计要求进行全面综 。增加，饱和导通电压将减小。由于饱和导通电压是 合 的考虑。 IGBT发热的主要原因之一，因此必须尽量减小。通常 栅极电阻对驱动脉冲的波形也有影响。电阻值过 为15～18V，过高容易造成栅极击穿，一般取15V。IGBT关 小会造成脉冲振荡，过大时脉冲波形的前后沿会发生 断时给其栅极 一发射极加一定的负偏压有利于提高 延迟和变缓。IGBT的栅极输入电容C 随着其额定电流 IGBT抗骚扰能力，通常取5～10V。 容量的增加而增大。为了保持相同的驱动脉冲前后沿 栅极驱动电压的上升、下降速率对IGBT开通关断 速率，对于电流容量大的IGBT器件，应提供较大的前后 过程有着较大的影响。IGBT的MOS沟道受栅极电压的 沿充电电流。为此，栅极串联电阻的电阻值应随着IGBT 直接控制，而MOSFET部分的漏极电流控制着双极部 电流容量的增加而减小。 分的栅极 电流，使得IGBT的开通特性主要取决于它的 IGBT的驱动电路必须具备2个功能：实现控制电路 MOSFET部分，所以IGBT的开通受栅