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2017-08-12 发布于重庆
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一种二阶曲率补偿带隙基准的研究.pdf

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一种二阶曲率补偿带隙基准的研究.pdf

维普资讯第 28卷第 3期电子器件 Vo1．28 NO．3 2005年 9月 ChineseJournalofElectronDevices Sep．2005 Second—OrderCurvatureCompensationBandgapReference 删 Guo—ping，HUANG N ian—ya，LIU Gui—zhi (ShanghaiNatlinearelectronicscorporation，Shanghai200122，China) Abstract：a first—ordercurvature compensation bandgap voltage reference has a temperature coefficient above30×10一／。C．Itcouldn’tachievetherequirementofsomehigh—precisionsystem．Sohigh—ordercur— vaturecompensationtechniqueisbeenaddedtofirst—orderbandgapcircuit．W henaM OSFET isworkingat sub—thresholdareainstandardCMOSprocess，itsdraincurrentcanbeexpressedwithexponentialrelation— ship．Sowecanimposethisexponentialrelationshiptocancelthesecond—orderitem oftheVB(丁)，Alsothe simulationresultthatemploysCSM C 0．6／,m twometaltwopolyCMOSprocessisgiven．Theoutputvolt— ageisabout1．234V。andthetemperaturecoefficientofthisbandgapisabout10ppm ／Cbetween一50℃ to 120℃ 。 Keywords：bandgapreference，curvaturecompensation，sub threshold — EEACC：2570D 一种二阶曲率补偿带隙基准的研究吴国平，黄年亚，刘桂芝 (上海南麟电子有限公司，上海 200122) 摘要：介绍了种带隙基准曲率的二阶补偿技术，并给出了一款带二阶曲率补偿的基准电路。它利用了MOS管的亚阈区特性来抵消电路中Vbe(丁)展开式的二阶项。该电路采用了0．6 m 2Metal／2PolyCMOS工艺模型进行了仿真，给出了补偿前后的仿真结果，在一5O～120℃范围内温度系数大约为10×10一／C。关键词：带隙基准；曲率补偿；亚阈区中图分类号：TN432 文献标识码：A 文章编号：lOOs一9490(2O05)03—0696—03 通常情况下，采用 “带隙”原理设计的普通电压基准 1 带隙基准原理的温度特性都不是很好，大约在3O×1O ／℃左右，因此不能满足高精度应用的场合。为了提高基准的