一种基于AMBA总线的NANDFLASH控制接口电路设计.pdfVIP

第27 卷第 2期 电 子 器 件 Vol .27 ,No .2 2004 年 6 月 Chinese Journal of Electron Devices June .2004 Design of NAND FLASH Control Interface Based on A MBA General Bus TANGYu-Guang ,WANG Zhen , LINGMing (National Engineering Research Center for ASICSystem ,Nanjing 210096, China) Abstract : NAND FLASH uses 8 I/O signallines to complicated transmit control ,address and data information .so the interface is special .This design based on the ARM 7TDMI core ,AMBA AHB general bus ,supports 1 bit ECC verification and 1bit width conversion .The state machine consists of four state groups .Command state group fulfills the function of sending command to NAND FLASH .Address state group fulfills the function of sending address to NAND FLASH .Read state group fulfills reading function .Write state group fulfills writing function .After simulation and real chip function test ,all functions accord with the NAND FLASH specification . Key words : NAND FLASH ;AHB ;interface module ;ECC EEACC : 1130B ;1265B 一种基于 AMBA 总线的 NAND FLASH 控制接口电路设计 唐宇光 ,王 镇 ,凌 明 (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 ,南京 210096) 摘要 :NAND FLASH 采用8 根 I/O 信号线复杂的传送控制、地址和数据信息 ,其控制逻辑需要专门设计。该接口设 计基于 ARM 7TDMI 核 ,AMBAAHB 总线结构,支持1 bit ECC 校验和位宽转换。接口设计中的状态机由命令字发送 状态组完成对NAND FLASH 命令字发送 ,地址发送状态组完成写地址发送 ,读状态组完成读操作,写状态组完成写 操作。该设计已通过仿真和芯片验证测试 ,功能符合NAND FLASH 操作规范。 关键词 :NAND FLASH ;AHB ;接口模块 ;ECC 校验 中图分类号 :TN79 文献标识码 A: 文章编号 :1005 - 9490(2004)02 - 0306 - 06 NAND FLASH 作为主流内存 ,具有存储密度 此操作方法 ,详细介绍该接口电路的结构 ,读写数 高 ,擦除和读出数据快的特点 ,每单位存储价格低 , 据流。重点介绍了 NAND FLASH 的详细操作 ,ECC 在嵌入式系统中适合大容量数据存储。但是应用 校验原理 ,和状态机控制。在文章最后 ,将是该模 NAND FLASH 必须