手征球壳的低频电磁屏蔽效应分析.pdfVIP

手征球壳的低频屯磁屏蔽效应分析 李晋文毛钧杰 匮游科技大学电子科学与工程攀蛊 摘要：手征舟质(曲iral珊巴dj岫＆1是一粪具有手征性的人工合成的电硅功麓材科．本文舟析了手 征夼质凛亮的慨藕电t屏蔽效应，绔出了用手征球壳实理电t屏蕞的设计曲鳗．理论计算衰啊，逮种 新型材#是一种非常宥前造的电硅屏蕞昔抖． 1引言 睫着电磁科学和材料的飞速发展，以及这两大学科之间的交叉结合，诞生了许多 具有特殊功能的新型电磁材料，而这些材料在工程中有广泛的应用前景．近年来，具 有代表性的手征类复合介质，以及它和电黻之筒的相互作用己成为电磁学和材料科 学中的一个新兴的研究热点。手征性是一个纯几何概念．当一个物体经过任意空闻操 作，饼如平移和旋转，都不能使它与其镜像重台时，称这个物体具有手征性；在光学 中，手征性通常称为旋光性。国内外研究学者已经充分认识到手征复合介质在反冒运 隐身技术、新型徽波、毫米波器件的制作和天线工程等领域中应用的可能性111。本文 通过分析计算由手征材料构成的介质球壳的低频电磁屏蔽特性，研究其在电磁兼容中 作为电磁屏蔽材料的可能性。 首先我们回顾一下一般材料介质球壳的电磁屏蔽效应。电性材料屏蔽电场，磁性 材科屏蔽磁场，这两种材料分别被用来保护电子设备，使其不受外界电、磁髟响，达 到电磁兼容的目的。考虑低频条件下空心球壳内场时．电磁场工作波长远大于球的直 径，可用L坤l∞e方程取代全Maxweu方程．当外场为恒定值玩，由介质球壳内电场 的准静态解，内场仅取决于球壳的介电常数 式中口=k／口lr，口l和口2分别为球壳的内外径。类似的有．当外场为恒定值风．对 磁导率_的球壳，其内磁场为 拈石罚毒券薪Ⅳ。 ㈣ 3—k ]FT再孬1溺F一…——“ 以上两个公式分别用作电磁屏蔽设计。 2手征介质球壳电磁屏蔽系数推导 2．1手征介震球场的位函数 ． 备硬阿性的手征媒质的本掏方程为啊 H t31 D=6E—jKt“庐o 口=一H+jr√，如知E (4) E、日分别为电场和磁场．D和占分掰为电、磁通密度；与一般媒质不同的是，它 除介电常致占和磁导率Ⅳ以外．还有一个无量纲参敷茁，称作手征率．以上两式中， 均已慑设为时谐场(P埘)． 由于考虑的仅仅是低频效应，故与尊电爝和静疆场翔曩类似的t曩们只需解hpl|睇 方程求需标量位函数，郾可求出场．在参数为s、芦和茁的均匀手征攥质中．燔方程 的特譬解称为“波场”(与等离子体类戗)，记作E、日+和j．、日．，它们囊足I‘l E=E．+E． 日=寺仅一丘) (5) 式中叩-√万为波殂抗．渡场满足M酬I方程，互相之同独立，传播常豢分射为 t．持位函靛也分解为两种响应的类壁屯 V2屯=0 (6) 有了位函截，渡场邵可得 乓=-v^ (7) 圈1分层手征介质球 考虑如图l所示的分层手征球．设入射电场和磁场均为平面波 乓=H，岛 矾t_y风 (8) 31 式中％=靠i7i为波阻抗。入射场的位函数州