三代像增强器用微通道板的改进与发展.pdfVIP

第 27卷 第 3期 应用光学 Vo1．27，No．3 2006年5月 JournalofAppliedOptics M ay，2006 文章编号 ：1002—2082(2006)03—0211-05 三代像增强器用微通道板的改进与发展 潘京生 (北方夜视技术股份有 限公司 南京分公司 ，南京 210006) 摘 要 ： 简要说 明了三代像增强器的特点，分析 了微通道板的离子反馈形成机理，给 出有效抑制 离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法，即一种是减少和清除微通道板 的吸附气体，另一种是 阻 止反馈 离子反馈到光 阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器，以及使用优化改进的高性能微通 道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法，该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工 作寿命 ，还介绍了最新发展 的体导电微通道板和硅微通道板 。指 出高可靠性无膜选通砷化镓像增 强器技术的实现 ，不仅 需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破 ，还需要砷化镓光 阴极在耐受 离子反馈能力上进一步提高，同时还要结合和拓展选通 电源的应用。 关键词 ： 三代像增强器；砷化镓光阴极 ；微通道板；离子反馈 ；无膜选通砷化镓光 阴极像增强器 中图分类号：TN223 文献标志码 ：A Developmentofmicrochannelplateusedfor 3dgeneration im ageintensifier PAN Jing—sheng (NanjingBranch，NorthNightVisionTech．Itd．．Nanjing210006，China) Abstract：Thepaperreviewstheionbarrieradopted in 3 generationimageintensifier，which hasdualeffectson theGaAsphotocathode，protectingitfrom being damagedbyionfeedback， atthe same time degrading thequantum efficiency． Theorigin ofperniciousgasesand the formation mechanism of ion feedback are explored， then some restraint techniques are introduced，including the latestdeveloped GaAsimage intensifierswith a high—performance M CP asitsfeature，whichmadethefilm significantlythinnerorevenremovedduetothelarge reduction ofperniciousgases．The latestbulk conductive MCP and SiM CP with excellent advantageonrestrainingionfeedbackareexhibited．Thedevelopmentoflong—lifefilmlessGaAs imageintensifierremainsagreatchallenge．FurtherprogressinM CP isneeded torestrain ion feedback，and the GaAs photocathode’S resistance to ionized and native gases stillneeds enhancing． Keywords：GenⅢ imageintensifier；GaAsphotocathode；microchannelplate；ion feedback； unfi