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微流控芯片实验室进展 基于有效淌度恒定不变测量低速电渗流L／ 王伟，周方，赵亮，张剑荣，朱俊杰’ 南京大学化学化工学院，南京，210093 摘要：介绍了一种微芯片毛细管电泳中快速测定低速电渗流的新方法。本方法基于探针物质 的有效淌度只与背景电解质(BGE)有关，而与管道性质无关。在测量中，先在作为参比的快 速电渗流微芯片测得某一快速组分的有效迁移率(∥eft)，再在未知的低电渗流微芯片测得探 针物质的表观迁移率(口。)，则低电渗流微芯片中的电渗流速率(∥阱)可以通过方程∥哪= _。一F。仟计算得到。用间接方法或其他常规方法都可以在参比微芯片中简单测算出∥。仃。 1前言 电渗流对微流体系的应用影响很大，在微管道的性质表征方面对电渗流的测量就显得非 常重要。文献报道了很多测定电渗流速率方法，但无法实现低速电渗流的测定。 本文提出一种通过检测在管道中快速迁移的物质的表观迁移率来推算电渗流的方法。测 量的机理是基于某一物质的有效迁移率在一个给定的背景电解质中是恒定的，而与微管道的 性质无关。在一低电渗流微芯片中某一快速迁移物质的表观迁移率可以被测定，而该物质的 有效迁移率在一快带电渗流的参比芯片上可以测得，则未知低电渗流的微芯片中的电渗流速 率可以根据等式口胛=∥卿一_。，，计算出来。参比芯片上有效淌度的测量是基于KRF理论。 用间接法测量所得[1]。 2实验部分 实验装置为交叉管道的微芯片柱端安培检测。低速电渗流的测定过程如下：首先在快速 电渗流微芯片上以样品区带法完成电渗流测定[1]。简述如下，在背景电解质中加入快速迁 1A。然后， 移的物质，当不同浓度的类背景电解质溶液以样品进样后，得到了电泳图Figure 用相同的背景电解质溶液在未知的EOF微芯片上完成常规的毛细管电泳检测，得到的电泳图 1B，图中虚线的峰是假想的电渗流的信号峰。t一。和t肥分别为管道A中快速迁移的物 Figure 质和电渗流的出峰时间，tn。和t船分别为管道B中快速迁移的物质和电渗流的迁移时间。 3结果与讨论 探针物质在管道A和管道B中的有效迁移率应该是相等的(Figure1)。∥。俐，=口。删其 中∥。删和F。棚分别为管道A和管道B中的有效迁移率、。该探针物质的有效迁移率可以 从其表观迁移率和电渗流来计算 ∥。倒，：Ⅳ。刚，一∥删：兰生堕一兰』叠盟 u’(1) ^l，。 。， V‘ 蚍。叫删叫旷首t一葡t ∥一：∥an胡l--g册。等一警 以上公式中∥删，，_俐和K分别为分别为管道A中的探针物质的的表观迁移率、电渗 流淌度和分离电压。 ∥。柳，∥册和昭分别代表管道B中的相应量。厶，厶塌厶和厶甜 一 分 别为管道A和管道B的长度和有效长度。因此，1．iea阳可以下式表示。 通讯联系人：朱俊杰 47 芯片制作技术 一一…～髓=鲁一警+警(3) 如果LA=LB=L，Laeff=LBe，f=Le，，并且降肛K／．／册可以按下式计算而得。 伽：孥(上一上+上)’ (4) y、‘1 ‘l ‘2。 一一直苗 ≮d口署∞ time time Migration Migration I Schematic Figure electropherogramsobtainedby(A)indirectmethodinafastEOFmicrochanneland(B)normalmethod