金红石TiO2薄膜的生长及性能研究.pdfVIP

第28卷第2期 湖 北 工 业 大 学 学报 2013年04月 of V01．Z8No．2 Hubei of Journal Technology Apt．2013 University [文章编号]1003--4684(2013)02—0027—04 金红石Ti02薄膜的生长及性能研究 张丹明 (湖北工业大学电气工程学院，湖北武汉430068) [摘 表明：当基底温度为600。C时，在GaN基片上生长的金红石TiO。(200)衍射峰表现明显和尖锐，薄膜表面形貌均匀 平整，说明在该条件下制备出TiOz薄膜具有更好的结晶度．用TEM对薄膜界面特征进一步分析观测，TiO。薄膜晶 格条纹清晰，薄膜与基底的界面清晰整齐．结果表明，在GaN基底上成功生长金红石型TiO。薄膜． [关键词]TiO。薄膜；金红石结构；PLD [中图分类号]TN305．5 [文献标识码]：A 纳米氧化物电介质材料在材料学中有着重要地 位，不仅作为电介质材料而广泛应用；而且因介电薄 1 实验 膜具有的压电效应、热释电效应、光电效应和铁电效 应等，能够与力、热、光、电等不同基本形式之间信息 基片表面的平整度、清洁度对薄膜的生长都有 交流．在电工学应用中，纳米氧化物材料主要功用是 极其重要影响．因此，对基片的清洗是非常有必要 作为电容器介质、隔离和掩膜层以及表面钝化膜等． 的．制备前先将基底分别在丙酮、乙醇和等离子水中 近年来，随着对器件高性能集成化的要求，对器件尺 超声清洗3rain去除表面的灰尘、油脂等污染物，然 寸的要求越来越高．对于功率器件而言，当栅极介质 后放入氢氟酸缓冲溶液中清洗2min，以去除基底 层的厚度减小到一定程度时，就会产生隧穿电流．因 表面的氧化残留物和金属离子等附着物；最后用离 此，在研究改善器件性能时，往往选用高介电常数氧 子水冲洗基片上残留溶液并用高纯Nz吹干．将样品 化物薄膜材料作为其栅极介质层，不仅可以减小器 送入生长室，在压强为1×10-5Pa条件下加热到 件的大小，而且还能改善器件性能，提高器件稳定 550。C，除去基片表面上的水分子等吸附物质[4咱]。本 研究中使用由沈阳中科仪器公司生产的PLD外延 性‘1I． 设备和德国LambdaPhysik公司生产的脉冲宽度 TiO。是一种宽禁带半导体，它主要有金红石、 为30ns，激光波长为248Yim的KrF准分子激光 锐钛矿和板钛矿三种晶型．金红石型纳米Ti0。是其 器．脉冲频率为1Hz，脉冲能量为100mJ，在生长室 中最稳定，应用较广的一种晶型，它具有较高硬度、 中的旋转靶上，能量密度为1J／cm2．实验靶材选用 密度、折射率高，紫外线吸收能力强以及高介电常数 纯度为99．5％的TiO。粉体在高温下烧结而成的陶 等优良特性而被广泛地研究[2]．在所有二元氧化物 中，金红石型TiO。具有较高的介电常数，能够达到 置生长过程中氧气分压为1×10_4Pa，基底温度控 110或以上，比SiO。高数百倍、且电学性能优越．目