包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型.pdfVIP

　第 20 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 3　 V o l N o 　1999 年 3 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar 包含多子带结构的MO S 器件开启 电压量子力学效应修正模型 马玉涛　李志坚　刘理天 (清华大学微电子学研究所　北京　100084) 摘要　 量子力学效应对于深亚微米M O SFET 特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度 的减小而日益显著. 实验结果表明: 量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移. 本文通过比 较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了M O S 结构弱反型区量 子力学效应三角势垒近似的正确性. 在计算弱反型区量化层内子带结构的基础上, 提出量子化 有效态密度和经典有效态密度的概念, 分析了载流子在子带中的分布情况, 讨论了量子力学效 应影响开启电压的两个因素, 并在此基础上给出了开启电压的量子力学修正模型. 该模型准确 地揭示了量子力学效应影响开启电压的物理实质, 并给出了与实验数据吻合的结果. : 2530 , 2560 EEACC F B 1　引言 随着M O S 器件向深亚微米领域发展, 按比例缩小规律要求衬底浓度不断增大栅氧厚 度不断减小. 当栅长减小到 025m 后, 衬底浓度可达到 5 ×1017 cm - 3 , 栅氧厚度则下降到 [ 1 ] 10nm 以下 . 这样, 即使在弱反型区M O S 结构硅表面也能形成很强的电场. 当沟道区垂直 方向电势的变化尺度可以和电子波长相比拟时, 沟道区出现量子化, 能级产生分裂, 原来连 [ 2, 3 ] 续的能带变成一系列二维子带 . 能带结构和态密度的变化, 会影响载流子的分布, 从而影响到M O S 器件的开启特性. 实验结果[ 3～ 5 ] 表明, 当衬底浓度达到 5 ×1017 - 3 时, 开启电压的漂移可达到 01 以上. 对 cm V 开启电压漂移的物理实质作深入分析并在开启电压的解析模型中引入量子力学效应是非常 重要的. 通常对于开启电压量子力学效应的解析修正都是基于以下假设[ 4, 6 ] : ( 1) 反型区采用 ( ) ( ) ( ) 三角势垒近似; 2 载流子只占据最低能带 基带 ; 3 载流子峰值浓度偏离界面将导致 ( ) 表面势有 E n z 的增量 E n 为表面电场, z 为量子化导致的载流子厚度的增量 . 文献[4 ] 中给出的开启电压量子力学修正模型中引入了三个修正项: 第一项是由于分立 马玉涛　男, 1974 年出生, 博士生, 从事半导体器件物理特性、器件模型等研究 李志坚　男, 1928 年出生, 教授、中国科学院院士, 从事半导体器件、微电子机械、系统集成等研究 刘理天　男, 1947 年出生, 教授, 从事半导体器件、集成传感器、微电子机械研究 19