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2017-08-12 发布于重庆
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多晶硅薄膜的工艺研究.pdf

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多晶硅薄膜的工艺研究.pdf

第25 卷　第4 期材　料　热　处　理　学　报 Vol . 2 5 　No . 4 2 0 0 4 年　8 月 TRANSACTIONS OF MATERIALS AND HEAT TREATMENT August 2 0 0 4 多晶硅薄膜的工艺研究王　军 , 　祁康成 , 　成建波 ( 电子科技大学光电信息学院, 四川成都　610054) 摘　要 : 研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数 ,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜。用 X 射 ( ) ( ) 线衍射仪 XRD 和扫描电镜 SEM 观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小。结果表明 :退火温度越高 ,退 ( ) 火时间越长 ,得到多晶硅薄膜的比例越高 ,晶粒也相对较大;薄膜在 111 方向上优先结晶 , 晶粒大小可 μ 以达到 1 m ,与理论值做了比较。 ( ) 关键词 : 多晶硅 ; 　薄膜 ; 　等离子体增强化学气相沉积 PECVD ; 　退火 ( ) 中图分类号: TB383 ; 　TB43 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 2004 ( ) 　　多晶硅薄膜作为一种新材料 , 已广泛应用于显化学气相沉积 CVD :Chemical Vapor Deposition 法 [1 ] ( ) 示、半导体、太阳能等许多方面。非晶硅 aSi : H 沉积固态薄膜具有设备简单、生长过程参数容易控 ( ) 薄膜晶体管 —液晶显示器 TFT —LCD 因其工艺性能制、膜质量优良、重复性好、便于大规模生产等优好、开关比高、显示性能优良而倍受重视。作为 TFT [3 ] ( ) 点。等离子体增强化学气相沉积 PECVD 法利用的有源层的aSi :H 的性能对 TFT 的工作性能有着关辉光放电中的热电子、正离子的能量促使 SiH 等气 4 键性作用。aSi :H 薄膜中大量畴区表面存在很多悬体分解 ,生成硅原子、氢原子或原子团 ,使之沉积在温挂键 ,因此 aSi :H 薄膜中载流子迁移率很低 ,一般为