锰掺杂对PMN-PZT陶瓷介电性能的影响.pdfVIP

郭 婷等：锰掺杂对PMN．PZT陶瓷介电性能的影响 锰掺杂对PMN—PZT陶瓷介电性能的影响木 郭婷，姜胜林，张海波，林汝湛 (华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074) 摘要：研究了锰掺杂对富锆PMN．PZT(铌镁酸铅一 锆钛酸铅)陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能等 方面的影响，并对实验结果作出物理机理的解释．实验 结果表明：适量的锰掺杂有助于陶瓷晶粒的生长，并能 有效地降低PMN-PzT陶瓷材料的介电常数和介电损 保温6h预烧合成粉料。通过球磨、干燥、造粒、成型、 耗，在锰掺杂量为3．0％(原子分毒幻时，岛=197、t锄6- O．15％，作为用于红外热释电探测器的陶瓷材料具有良 的试样磨片、清洗、被银、烧电极，然后将样品在100～ 好的介电性能． 关键词： 无机非金属材料；PMN．PZT；锰掺杂；介电 5k、r，玎姗，极化后短路放置24h后测试。 性能 B．V(原飞利浦分 采用荷兰帕纳科公司PANalytical 中图分类号： 瑚282 文献标识码：A 析仪器)生产的工’Pen l001．973 文章编号： l(2007)增千lJ．0821．03 分析，用FEI公司生产的Sirion200型场发射电子扫描 1 引 言 试样品的电容和nd陇下的介电损耗t觚占。 在钛酸铅(PT)和锆钛酸铅(PzT)系列的陶瓷材 3结果与讨论 料中，锰是一种很普遍的添加物。一般认为，在这一系 列的陶瓷中加入微量的锰，会使得材料的介电常数下 3．1 锰掺杂PMN．PzT陶瓷的XRD图谱 f 降，弹性柔顺系数下降，介质损耗减小，材料的物理性 能往“硬性”方面变化；同时，它能使PzT陶瓷材料 Ⅺ①图谱，从图中可以看出，在研究的掺锰含量范围 的晶粒生长均匀，减小晶粒之间的间隙【1】。由于锰的特 内，样品均为纯钙钛矿结构，不含恶化介电和压电性能 殊性，锰掺杂一直是人们研究的热点。早期的研究工作 的焦绿石相。 者就Mn02掺杂对压电PzT材料机械品质因数Q。、机 电藕合系数岛、压电常数南3及介电常数￡进行了研究， 表明锰离子掺杂既表示出受主掺杂的特性(使Q。提 高)，又有施主掺杂的特点(使墨提高，抗老化性能改 善)【2】。PMN．PZT多元陶瓷材料具有良好的热释电性能， 是目前用于制作热释电红外探测器陶瓷材料的热点【3】， 为了进一步了解锰掺杂对PMN．PzT陶瓷材料的介电性 能的影响，对PMN．PzT陶瓷材料进行锰掺杂的系列实 验，观测不同掺锰量对陶瓷晶体结构，介电性能的影响 并对实验结果提出物理机理的解释。 2实验 刚香嚣辇嚣嚣●槲麟褂的渤 l涨D ofPMN—P2rTccraInics 实验采用的是先驱体合成工艺(也叫两步法)制备 Fig patt锄s 孙烈一戌万陶瓷样品【4】，其基本的结构组成是Pbld(乙l叫 v撕ou§：№coments 3．2锰掺杂对PMN—PZT陶瓷晶粒生长的影响 1”I．y(M91，3Nb2，3)y】03，其中，0．65≤工≤0．95，0≤)，≤O．3， 0≤d≤O．1。在PMN．PzT基料上添加不同量的Mn掺杂， 其范围为0％～5％(原子分数)。其工艺过程是：先用SEM图