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Al_Mg_Si合金GP区强化作用的价电子结构分析.pdf
2008 年第 8 期 轻 金 属
·55 ·
Al - Mg - Si 合金 GP 区强化作用的价电子结构分析①
1 ② 1 2
胡益丰 ,沈大华 ,邓 文
( 1. 江苏技术师范学院 数理学院 ,江苏 常州 2 1300 1 ;
2 . 广西大学物理科学与工程技术学院 ,广西 南宁 530004)
( )
摘要 : 运用固体经验电子理论 ,对 Al - Mg - Si 合金 GP 区 L 10 型 的价电子结构进行了计算 。结果表明: GP 区晶胞
最强键和次强键上的共价电子数远比纯 Al 晶胞的最强键共价电子数多 ,其主键络骨架对合金键络起到增强作用 ,使
得位错运动难以切割 ,从而提高了合金的硬度 。以Mg 原子为中心的共价键络在 GP 区生长时起到主导作用 ,生成较
强的Mg - Mg 键和 Mg - Si 键 。由于细小共格的 GP 区大量均匀脱溶沉淀提升了基体的整体键络强度 , 同样对合金产
生强化作用 。
关键词 : Al - Mg - Si 合金 ; GP 区;价电子结构
中图分类号 : T G111. 1 文献标识码 : A 文章编号 : (2008) 08554
Analysis of valence electron structure
of GP zone in Al - Mg - Si alloyf or strengthening
1 1 2
HU Yi - feng , Shen Da - hua ,Deng Wen
( 1. S chool of M at hem at ics an d Phys ics , J iangs u Teachers Univers ity of Tech nology , Changz hou 2 1300 1 ,
Chi na ; 2 . Col lege of Phys ics S cience an d Tech nology , Guangx i Univers ity , N an ni ng 530004 , Chi na)
Abstract :The valence elect ron st ructure of GP zone wit h model L 10 in Al - Mg - Si alloy was calculated according to t he empirical elect ronic t heory
( EET) in solid . The result s show t hat t he number of t he st rongest and second st rongest covalent bonds of GP zones is far more t han t hat in ? - A 1
cell . Because t he p rimary bond - net framework
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