p 型Ga A s 的远红外波段光学特性.pdfVIP

第 26 卷 　第 2 期 光 　学 　学 　报 Vol . 26 ,No . 2 　　　　　　　 　 　　　　 　　　　　　　　　　　　　 2006 年 2 月 ACTA OP TICA SIN ICA February , 2006 ( ) 文章编号 : 2006 02022 14 p 型 GaA s 的远红外波段光学特性 1 1 1 1 2 2 刘 　成 　吴惠桢 　劳燕锋 　李爱珍 　任重桥 　沈文忠 1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 , 上海 200050 2 上海交通大学物理系 , 上海 200030 ( ) 摘要 : 　砷化镓 GaA s 是太赫兹波段半导体异质结构激光器的重要材料之一 ,为了获得 p 型 GaA s 材料在远红外波段 ( ) ( ) 的光学特性 ,采用气态源分子束外延 GSMB E 技术在半绝缘 GaA s 100 衬底上生长了掺 Be 的p 型 GaA s 薄膜材料 , 其载流子浓度从 1. 54 ×1015 ～1. 85 ×1019 cm - 3 。用远红外变换傅里叶光谱仪测量了其远红外反射光谱 ,并对反射光 谱进行了理论模拟和分析 ,计算得出了不同空穴浓度的p 型 GaA s 在远红外波段的折射率 、消光系数和吸收系数 。发 现在这一波段消光系数和吸收系数均随着载流子浓度的增加而增大 ,吸收系数最大值可达到 4 . 0 ×104 cm - 1 。 关键词 : 　光学材料 ; 光学常数 ; 远红外反射光谱 ; p 型 GaA s 中图分类号 : O472 + . 3 　　　文献标识码 : A Op t i c a l P r op e r t i e s of pTyp e Ga A s i n F a rI n f r a r e d R e gi o n 1 1 1 1 2 2 L iu Ch en g 　Wu Huizh en 　L ao Yanf en g 　L i Aizh e n 　Ren Ch on gqiao 　Sh en Wenzh on g 1 St a t e Key L abor a t or y of F u n ct i on al M a t er i als f or I n f or m a t ics , Sh a n gh ai I n st i t u t e of Mic r osyst em 　a n d I n f or m a t i on Tech n ol ogy , The Chi n ese Aca de m y of Scie n ces , S h a n gh a i 2