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2017-08-12 发布于江苏
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ZnO薄膜的最新研究进展.pdf

文章编号 (2002) ZnO 薄膜的最新研究进展吕建国,叶志镇 (浙江大学硅材料国家重点实验室 ,浙江杭州 310027) 摘　要 : 　ZnO 是一种新型的 Ⅱ～ Ⅵ族半导体材料。文章详细约 150nm 。介绍了 ZnO 薄膜在其晶格特性、光学、电学和压电性能等方面表 1 　ZnO 薄膜晶格参数的研究 ,特别是 ZnO 薄膜的紫外受激辐射特性 ,另外 ,对 ZnO 的 Table 1 Parameter for ZnO and GaN thin films p 型掺杂和pn 结特性的最新进展也作了探讨。半导体材料 ZnO GaN 关键词 : 　ZnO 薄膜 ; 晶格特性;光电性能 ;p 型掺杂晶体结构六方六方中图分类号: 　TN304. 21 ;O472 　　　　文献标识码 :A a 0 . 325 0 . 319 ( ) 晶格参数 nm c 0. 521 0. 519 1 　引　言分子量 81 . 38 83 . 73 ( 3) 5 . 67 6 . 10 密度 g/ cm ZnO 是一种新型的 Ⅱ～ Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料 ,与 ( ) 熔点 ℃ 1975 1050 热膨胀系数 Δ GaN 具有相近的晶格常数和禁带宽度 ,原料易得廉价 ,而且相 a/ a 2 . 9 5 . 59 ( - 6 ) Δ 对于 GaN ,ZnO 具有更高的熔点和激子束缚能 ,其机电耦合性 10 / K c/ c 4. 75 3. 17