不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光.pdfVIP

第 卷第 期 半 导 体 学 报 ， ! ## $% ’! (% ’ ## 年 月 ， !))! ## *+,(-.- /012(34 05 .-6,*0(71*802. (%9 ’ !))! !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 不同 掺杂浓度的 材料的光致发光 ! #$% 周晓滢 郭文平 胡 卉 孙长征 罗 毅 （清华大学电子工程系 集成光电子学国家重点实验室，北京 #)))CA ） 摘要：研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同 掺杂浓度的 样品薄膜，经不同温度退 6D =( 火处理后的发光特性’ 实验发现随着退火温度的升高，不同掺杂浓度的6D E =( 材料的光致发光谱蓝带峰能量相差 变小，经 退火后蓝带集中在 附近 利用 材料内部补偿模型对此现象进行了分析，同时认为对 CF)G ! H:!I$ ’ 6D E =( 于掺杂浓度较高的样品， 为最佳的退火温度 CF)G ’ 关键词： 型掺杂； ；光致发光；退火；补偿；势能波动 J =( ： ； ； ’(( CFF ?CFF !C) 中图分类号： K 文献标识码： 文章编号： （ ） 8()A H! 3 )!F@A# !))! ##@##?C@)F 提供获得高质量 型掺杂的 材料的解决途径 J =( 具有重要的意义 谱与 掺杂浓度、晶体质量、 ) 引言 ’ S4 6D 生长和退火条件等因素有关 当 掺杂浓度较高 ’ 6D 是一种直接带隙的半导体材料，室温下禁 时， 谱峰位于 附近，即所谓的蓝带 它是 =( S4 ! H CFI$ ’ 带宽度为 材料是制备蓝光和紫外波段 较高浓度 掺杂 材料特有的光致发光谱，目 HAI$ ’ =( 6D =( 半导体发光器件的理想