低介电多孔薄膜的制备及形成机制研究.pdfVIP

Vo l. 27 高 等 学 校 化 学 学 报 No. 1 2 0 0 6 年 1月 　　　　　CHEM ICAL JOURNAL OF CH IN ESE UN IV ER SITIES　　　　　 　 104 ～107 　 低介电多孔薄膜的制备及形成机制研究 徐洪耀 , 王献彪 , 吴振玉 (安徽大学化学化工学院 , 安徽省绿色高分子材料重点实验室 , 合肥 230039) ( γ ) 摘要 　利用硅烷偶联剂 KH 570 甲基丙烯酰氧基 甲氧基硅烷 水解缩合生成的多面低聚倍半硅氧烷 ( ) PO SS 溶胶为模板剂 , 经热解制备低介电多孔薄膜材料. 使用 FTIR 对材料制备过程及形成机制进行动态研 究 , 通过 29 Si NMR、椭偏仪 、氮气吸脱附曲线和 TEM 等对材料的介电性质 、孔洞大小和分布情况进行表征. 制备的介电多孔薄膜材料孔洞分布均匀 、孔径约 1 nm , 比表面积为 384 1 m2 / g, 介电常数为 25 的低. 关键词 　多孔薄膜 ; 低介电常数 ; 旋转涂布 中图分类号 　O647; O484. 4　　　　文献标识码 　A 　　　　文章编号 (2006) 0 1010404 由于大规模集成电路的集成度越来越高 , 器件特征尺寸逐渐减小 , 多层布线和逻辑互连层数增 加 , 使导线电阻以及导线间和层间电容增加 , 使 RC 延迟上升 , 限制了器件的传输速度 , 且增加能 耗 [ 1～4 ] , 信号传输延迟和串扰以及由介电损失导致功耗大幅度增加. 解决的措施主要是降低介质带来 的寄生电容. 由于电容正比于介质的介电常数 , 所以开发具有低成本并有 良好性能的 IC 低介电材料 (κ ) [ 2 , 3 ] 3 是功能材料研究领域的热点之一 . 目前 , 制备低介电薄膜材料多采用传统的溶胶 凝胶法 , 但此方法存在孔径的大小难控制 , 材料孔径分布较宽、均匀性差 , 材料力学性能差 、机械强度较低 , 材 料的重现性不好等不足. 由于干凝胶和气凝胶介电常数虽然低 , 但薄膜回缩比例大 、机械强度不高 、 [ 3, 4 ] ( ) 孔分布不均匀 . 本文采用多面低聚倍半硅氧烷 PO SS 溶胶为模板剂 , 制得了性能较好的介电材料. 1　实验部分 1. 1　试剂与仪器 ( ) ( ) ( 硅片 中国科学院光机所 ; 无水乙醇 宿州化学试剂厂 , 分析纯 ; 去离子水 ; 浓盐酸 宜兴红塔 ) γ ( ) 化学试剂厂 , 分析纯 ; 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷 KH 570 , 上海试剂一厂 , 分析纯 ; 六甲 ( ) ( ) 基二硅胺烷 HMD S, 上海试剂一厂 , 分析纯 ; 三甲基乙氧基硅烷 TM ES, 上海试剂一厂 ,