半导体芯片紫外荧光无损检测.pdfVIP

2O03年 9月 韶关学院学报 (自然科学版) Sep．2003 第24卷 第 9期 JournalofShaoguanUniversity(NaturalScience) V01．24 No．9 半导体芯片紫外荧光无损检测 王水凤’，曾字昕2，姜 乐2 (1．南 昌大学 物理系，江西 南昌330047； 2．南昌大学 材料科学与工程系，江西 南昌330047) 摘要：Fe、Na、Ni等金属杂质对半导体器件 芯片有严重的负面影响，往往导致器件失效，成 品率下降，必须进行有效控制处理 ．采用紫外荧光 (小 )法可有效检测出硅 晶片及半导体器 件芯片 (如 GaP、GaAs等)的金属杂质沾污情况，还能检测金属杂质 的相对 沾污量，对半导 体器件芯片的生产可实现实时非破 坏性的检测分析 ． 关键词：半导体芯片；杂质沾污；无损检测；紫外荧光 中图分类号：0657．319；0656．9 文献标识码 ：A 文章编号：1007—5348(2003)09—0010—04 我国一些半导体器件制造企业的产品质量和可靠性不高，难 以形成 良性循环的规模效 应．除了投资规模有限、设备落后等原 因外，在工艺质量检测中，还存在着许多薄弱环 节，如金属杂质沾污、原材料进厂的检验 、芯片缺陷的测定等，而且是 比较普遍存在 的问 题．硅单晶外延片是各类硅晶体管 、大规模集成电路芯片的衬底材料，然而，生产厂所用 的国产外延片与国外进 口片相比，结果相差甚大 ．经过多年对 比研究，发现问题并不在于 国产硅单晶的抛光面，差别主要在于国产晶片背面的金属杂质沾污比较严重．常见的有害 金属杂质有 Fe、Na、Ni、Cu等 ，其中Fe是最为有害的重金属杂质，被认为是硅中少数载 流子寿命的 “头号杀手”，其浓度低于0．01me／k~ ．正是由于晶片背面的重金属杂质沾 污偏高，往往造成工艺过程中芯片失效、成品率下降 ． 对 Fe和 Na这两种最为有害的杂质，迄今 尚未有实时地评价芯片洁净度且能同时检测 出Fe、№ 等杂质的有效手段．对硅芯片表层中的Fe，深能级瞬态谱 (D )法、表面光 电压 (slPV)法和中子活化分析 (NAA)法均不适用于器件生产线作实时检测与分析 ．二 次离子质谱 (s )法测定 Fe不仅易受 si2的干扰 ，而且会破坏被测样品．全反射x荧 光 (唧 )法对有 电路图形的芯片作 Fe沾污分析也难 以奏效 ． 本研究提出的 “紫外荧光 (UvF)”法 ，可用于各类晶片痕量金属杂质的实时室温测 试 ，是一种新颖的非破坏性的在线检测技术 ． 1 检测方法及仪器 有关 Fe与Na的紫外光谱线及其特征荧光已为世人所知L1-3J．然而，Fe、№ 、Ni和 Cu等杂质在半导体晶片抛光面上的紫外荧光效应 ，却少见有文献报道 ．紫外光能穿透芯 片表面的 Sio2和 Si3N4膜到达抛光硅表面，并部分进入表层 (～30砌 )．而 Fe、№ 等金属 杂质沾污的信息以比激发光波长稍长的荧光发射出来．分析其中的特征荧光L4J，便可判断 收甍 日期：2O02—11—11 作者筒介：王水风 (1945一)，女 ，浙江萧山人 ，南昌大学物理系教授 ，主要从事半导体材料发光特性的研究 第 9期 王水凤 ，等 ：半导体芯片紫外荧光无损检测 晶片抛光表面 (或背面)的洁净状况 ． 本实验采用的仪器为 F-3010(日本 Hitachi)荧光分光光度仪，光源为氙灯 (150W)， 紫外光束入射到待测样片上 ，该机微处理器操作能 自动打印出荧光谱图与测试数据，对波 长扫描的测值精度为2nln，检测面积为 1．5～4．0rnn2，分档切换 ．检测硅抛光面痕量 Fe 的灵敏度可达到 109atoms-cmI2量级 ．检测分析系统见图 1． L光源 E：激发光单色器