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单晶表面加工损伤的评价方法／彭 晶等 单晶表面加工损伤的评价方法 彭 晶，包生祥 ，马丽丽 (电子科技大学材料分析中心，成都 610054) 摘要 单晶表面加工损伤是衡量工艺水平以及单晶片质量的一个主要参数。综述对单晶表面加工损伤进行分 析评价的各种方法，对各种分析方法的基本原理、主要特点及应用做 了概要介绍。由于单晶表面损伤以及表面残余应 力存在一定的梯度及各种表征方法的作用机理、作用深度不尽相同，因此不同的评价方法对同一样品的分析往往会 出 现差异。根据不同的分析 目的，给出了选择分析手段的建议。 关键词 单晶 表面损伤层 分析评价 CharacterizationTechniquesandM ethodsonSingleCrystal SurfaceM achinedDamages PENGJing，BAOShengxiang，MA Lili (MaterialAnalysisCenter，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu 610054) Abstract Thesurfacedamagesgreatlyeffectthequalityofthesinglecrystalwafer．Thecharacterization techniquesandmethodsinvolvedintheassessmentofsinglecrystalwaferdamagesarediscussedbrieflyinthispaper， anditsfeaturesandapplicationsarealsopresented．Forthedifferentinteractionprinciples，resultsofsurfacedamages analysisobtainedbythosemethodsmaybediscrepantinsomedegree．Accordingtodifferentanalysispurposes，sug— gestionsonhow tochoseanalysismethodsaregiven． Keywords singlecrystal，surfacedamage，analysisandevaluation 0 引言 1 非破坏性检测 随着科技的发展 ，单晶材料的应用范围不断扩大，已广泛应 所谓非破坏性检测是指以不破坏样品原本具有的品质、形 用于电、光 、声等领域。与此同时，对单晶表面质量的要求也 日 状、功能的情况下，对样品进行检测 。目前应用于单晶表面损伤 益提高。例如，用铌酸锂和钽酸锂等晶片制作的声表面波器件 的无损检测技术主要有 ：x射线衍射 、x射线形貌、电子通道花 的应用频率越来越高，大规模集成电路的发展，要求硅、砷化镓 样、拉曼散射光谱、卢瑟福离子背散射、激光散射、红外光反射 等晶片的尺寸不断增大，红外探测材料 HgCdTe，InGaAs／InP 等。 等晶片越大越薄，表面复合率越小，则探测灵敏度越高。所有这 1．1 x射线衍射摇摆 曲线 些 ，对单晶的表面加工工艺(切磨抛等)提出了更高的标准，要求 x射线衍射是一种常用于测量晶体晶格变形引起的残余应 尽量优化晶片质量 ，控制损伤层深度 ，提高表面完整性 。而单晶 力的非破坏性检测方法。X射线 以一定角度照射到单晶片表面 表面损伤层表征技术及其质量评价对研究晶片的损伤形成机 会发生衍射现象。根据x射线衍射动力学理论可知 ，存在损伤 理 ，降低损伤深度，优化加工参数有着极其重要的作用，也是提