SIC单晶生长及其晶片加工技术的进展.pdfVIP

维普资讯 第 28卷 第 5期 半 导 体 学 报 Vol_28 NO．5 2007年 5月 CHINESE JOURNAL OFSEM IC0NDUCTORS M ay，2007 SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展* 姜守振 徐现刚’李 娟 陈秀芳 王英民 宁丽娜 胡小波 王继杨 蒋民华 (山东大学晶体材料国家重点实验室，济南 250100) 摘要：回顾了SiC单晶的发展历史，总结了目前的发展状况，同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺 ， 最后介绍 了SiC单晶的加工技术 ．通过模拟计算与具体实验相结合 的方法 ，调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚 设计可以得到理想温场．近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展，进而有利于减少缺陷提高晶体的质量．由于 SiC 硬度非常高，对单晶后续的加工造成很多困难，包括切割和磨抛．研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸 SiC晶体， 可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片；采用化学机械抛光法，可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加 工变质层 ，加工后 的SiC 晶片粗糙度可小于 1am． 关键词：升华法；SiC 模拟；温场；金刚石线切割；化学机械抛光 EEACC：0510 中图分类号：O771 文献标识码 ：A 文章编号：0253-4177(2007)05-0810-05 2-~3mm鳞状单晶小板或多晶体．很明显，这种合成 1 引言 方法不可能为规模生产SiC器件提供大量高质量 的 SiC单晶．在常压 、高温条件下 SiC材料不熔化，但 SiC单晶是非常重要的第三代半导体材料，其 在超过 1800℃的高温时，SiC会升华并分解L2]，分解 独特的物理性质决定了在大功率、微波 电子器件 中 产物种类较多，主要有 Si，SiC。和 SizC等气相组分 的地位．同时，作为GaN基薄膜 的衬底材料，还可以 以及 固态 C．利用 SiC高温升华分解这一特性 ，可采 应用到光电子领域，在半导体 固体 白光照明中也担 用升华法来生长 SiC晶体 ．升华法是 目前生长大直 当了不凡的角色．金刚石、Ⅲ．V族氮化物也是很有 径 SiC单晶最常用 的方法 ．1955年，Philips实验室 希望的宽带隙半导体材料，但是，与其相比SiC在制 的LelyE3首次采用升华法生长了体块 SiC单晶．把 造工艺上有着 自身 的优势 ：可采用成熟 的平面工艺 SiC粉料放在石墨坩埚和多孑L石墨管之间，在惰性 技术 ，SiC的热氧化物也可作为掩蔽膜、钝化层和绝 气体 (通常用氩气)压力为 latm条件下，加热至约 缘栅等．而且，一些重要的Ⅲ．V族氮化物的结构与 2500。C 的高温 ．SiC粉料升华分解为 Si，SiC。和 SiC具有 良好 的相容性 ，如 AIN，GaN与 6H—SiC的 SiC等气相组分，在温度较低 的多孑L石墨管 内壁上 晶格失配分别仅为 1％和 3％．所 以，20世纪 90年 自发成核生成片状 SiC晶体 ．生长体系 中的温度梯 代 以来，SiC单晶生长及器件 的研制受到美、Ft、俄、 度是晶体生长的驱动力．由于Lely法为自发成核生 西欧等国家的极大关注，成为一个引人注 目的研究 长方法 ，不容易控制所生长 SiC晶体的构型；得到的 热点． 晶体呈片状且尺寸很小 ，约3～5mm．1978年 ，前苏 根据理论分析，若从化学计量 比熔体中采用提 联的Tairov等