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第三章 光发射 提纲： 3.1 引言 3.2 发光中心发射的一般讨论 3.3 一些典型的发光中心 3.3.1 碱卤化合物的激子发光 3.3.2 稀土离子发光（线谱发射） 3.3.3 稀土离子发光（带谱发射） 3.3.4 过渡金属离子 3.3.5 d0基团离子 3.3.6 d10离子 3.3.7 s2离子 3.3.8 U6+离子 3.3.9 半导体发光 3.3.10 交叉发光 3.4 余辉发射 3.5 热释光 3.6 受激发射 3.1 引言 吸收的能量通过三种方式释放 光发射 光吸收 无辐射跃迁 能量传递 3.2 发光中心发射的一般讨论 驰豫 13 -1 驰豫几率：10 s 8 -1 发射几率：10 s 斯托克斯位移： 激发谱与发射谱峰值能量差，与△R成正比 吸 发 收 射 激发谱 发射谱 Bi3+离子在LaOCl中的 位型坐标图 激发谱和发射谱 黄昆因子 黄昆因子S （Huang-Rhys coupling constant ） 假设激发态与基态有相同的抛物线形状 总驰豫能=斯托克斯位移=2Sh γ 声子能量为h γ,两个振动能级差，S是整数。 S1 弱耦合 1S5 中等强度耦合 S5 强耦合 S反映了电子-晶格耦合程度 晶体中有多种晶格振动模式，但在光学跃迁中 起主要作用的是能量最大的声子，因为它们需 要更小的S值。 三种耦合强度发射谱比较 3 3+ a.GdAl B O 中的Gd 发射， 4 12 紫外，零声子线S≈0 b.UO22+发射，绿光，S≈2 c.F心发射，红外，S5 激发态寿命和发光衰减时间 激发态占据数的减少 只有基态和激发态的双能级系统 dN e −N P dt e eg N 代表激发后处于激发态的发光离子数； e t P 代表时间； 代表自发发射几率。 eg 积分后 有 , − τ t / N t N e R e ( ) e (0) 其中τ 1/ P