甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究.pdfVIP

第 54 卷 第 4 期 2005 年 4 月 物 　理 　学 　报 Vol. 54 ,No. 4 ,April ,2005 ( ) 10003290200554 04 189905 ACTA PHYSICA SINICA 2005 Chin. Phys. Soc. 甚高频等离子体增强化学气相沉积制备 微晶硅太阳电池的研究 张晓丹 　赵 　颖 　高艳涛 　朱 　锋 　魏长春 　孙 　建 　王 　岩 　耿新华 　熊绍珍 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 ,天津　300071) (光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 ,天津　300071) (南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室 ,天津　300071) ( ) 2004 年 7 月 15 日收到;2004 年 12 月 15 日收到修改稿 　　采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池. 电 池的 J V 测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压 逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著. 对于微晶硅电池 ,N 层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的 漏电概率 ,提高了电池的填充因子. 关键词 : 微晶硅太阳电池 ,甚高频等离子体增强化学气相沉积 PACC : 8115H , 8630J 腔室、I 腔室和 N 腔室的电极间距分别为 225 ,20 1 引 言 和 20 cm. 本文如没有特别指明 , 电池P 层选择的条 件是 P1 ( P1 的硅烷浓度为 05 % ,气压为 120 Pa ,P2 微晶硅太阳电池和非晶硅微晶硅叠层太阳电 的硅烷浓度是 P1 的 2 倍 ,气压为 100 Pa) . I 层硅烷 池已成为当前光伏领域研究的热点[1 —3 ] , 国际上在 浓度为 3 % —6 % ,功率变化为 9 —26 W. 为了研究非 这方面的研究已经取得了阶段性的成果[4 ,5 ] . 目前, 晶N 层和微晶N 层对电池性能的影响 ,实验同时制 我们的实验室在这一领域也开展了相关的研 备了这两种N 层的电池. 所有电池的 P 层、I 层和 N 究[6 —9 ] ,但对于微晶硅太阳电池的研究和认识还不 层的厚度分别为 20 ,1000 和 20 nm 左右. 实验所用的 是很深刻. 本文围绕着影响材料晶化程度的硅烷浓 衬底为 ZnOSnO 复合膜. 电池的 J V 特性测试所用 2 度和辉光功率两大工艺参数 ,采用甚高频等离子体 ( 2 ) 光强为 AM15 100 mWcm . 电池的晶化率通过拉