多芯片组件温度场及其可靠性分析.pdfVIP

荣获科技部刨新基金资助企业 -全能无系卤习锡水膏基—清—洗焊翻接环保专家 f fif — — 环保安全 ． 助焊剂、清洗剂、锡膏专业研发制造厂商 ! ● 作者：代宣军 桂林理工大学 机械与控制工程学院 多芯片组件温度场及其可靠性分析 【摘 要 】 针对球栅阵列封装的大功率MCM其内部具有多个热源、耦合作用强、内部发热量大、温度高的特点，建立其热学 模型，在ANSYS平台下对其进行 了稳态模拟分析；结果表明，增加外部散热装置可以大大降低MCM的温度，是对其进行 降温最直接有效的一种方式；合理布局可以避免热集中现象。针对MCM单位体积内的功耗大，芯片热失效和热退化现 象突出，对其芯片凸点和无铅焊料球进行了可靠性分析；结果表明，内应力最大处位于凸点与芯片的接触面上，凸点 与基板和焊点与PCB的接触面均为高应力应变区域，是焊点的薄弱环节。 【关键词 】多芯片组件；有限元；热分析；可靠性 1引言 热应力都会影响到器件的电性能、工 析、电磁场分析等多种物理场分析， 作频率、机械强度和可靠性。随着 并且具有强大的前、后处理功能。在 多芯片组件 (MCM)技术是80年代 为适应军事 电子装备小型化、高性 MCM集成度的提高和体积的缩小，尤其 温度场分析方面包括稳态温度场分析 能、高可靠性的要求而出现的～种集 是对于集成了大功率 片的MCM，其 和瞬态温度场分析。 半导体集成电路、微电子工艺、新材 内部具有多个热源，热源之间的热耦 2．1稳态传热 料等一系列先进科技成果的电路集成 合作用较强 ，单位体积 内的功耗很 如果系统的净热流率为0，即流 新技术 。与单芯片封装相 比，MCM 大，由此带来的芯片热失效和热退化 入系统的热量加上系统 自身产生的热 现象突出。有资料表 明，器件的工作 量等于流出系统的热量：Q流入+Q生 具有组装密度高、互连线短、体积 小、重量轻、性能好等特点，可提高 温度每升高10C，其失效率增加1倍 成一Q流 出=0，则系统处于热稳态 。在 “ 单位体积内电路的集成度，缩小电子 。 因此，准确模拟大功率MCM模块的 稳态热分析中任一节点的温度不随时 产品体积，有利于 电子整机向高速 三维温度场分布，并分析掌握其热特 间变化。稳态热分析的能量平衡方程 化、多功能化和小型化方 向发展，在 性，有利于指导MCM热设计方案的选 为 ： 提高产 品性 能方面起到了重要作用 择，对提高大功率MCM的可靠性具有 [K]{T)={Q) (1) 重要意义。另外，焊点既承担机械连 式中： [K]为传导矩阵，包含导 。 但在与常规的单芯片相 同的面积 接，又实现 电气连接，是多芯片组件 热系数、对流系数及辐射率和形状系 上，MCM内封装了许多的集成 电路 ， 瓦联中最薄弱的环节，因此焊点的可 数 ； 封装密度提高，功率密度增大，再加 靠性尤为突出。本文针对某球栅阵列 {T}为节点温度向量； 上构成的材料种类多，使得MCM内部 封装的大功率MCM，提出了一种简化 {Q)为节点热流率向量 ，包含热 的热场较单片集成 电路要复杂的多， 的热学模型，并利用有限元方法，借 生成； 其热设计问题也愈来愈突出。温度是