数字电路基础 阎石 第七章 半导体存储器.docVIP

本文由baoyizhong0贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 《数字电子技术基础》（第五版）教学课件 数字电子技术基础》 第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 输 入 出 电 路 I/O 二、分类 1、从存/取功能分： 、从存/ ①只读存储器 (Read-Only-Memory） Read-Only-Memory） 掩模 ROM 可编程 ROM 可擦除的可编程 EPROM ②随机读/ ②随机读/写 静态RAM （Random-Access-Memory） 动态RAM Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 MOS型 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 掩模ROM 一、结构 二、举例 A0~An-1 D0 W0 W(2n-1) Dm 地 A1 址 A0 D3 数 D2 据 D1 D0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 0 0 两个概念： ? 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元 中有器件存入“1”，无器件存入“0” 中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 掩模ROM的特点： 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 熔丝由易熔合金制成 ?出厂时，每个结点上都 有 ? 编程时将不用的熔断 ！ 是一次性编程，不能改 写 ！ 7.2.2 可编程ROM（PROM） 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 写入时，要使用编程器 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） SIMOS ( Stacked ? gate Injuction MOS ) 叠栅注入MOS管 Gc : 控制栅 G f : 浮置栅 工作原理： 若G f 上充以负电荷，则Gc 处正常逻辑高电平下不导通 若G f 上未充负电荷，则Gc 处正常逻辑高电平下导通 , “写入”：雪崩注入, D ? S间加高压（ ~ 25V）发生雪崩击穿 20 同时在Gc 上加25V ,50ms 宽的正脉冲， 吸引高速电子穿过SiO2到达G f , 形成注入电荷 “擦除”：通过照射产生电子 ? 空穴对，提供泄放通道 紫外线照射20 ~ 30分钟（阳光下一周，荧光灯下3年） 二、电可擦除的可编程ROM（ PROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 为克服 UVEPROM 擦除慢，操作不便的缺 点 采用 FLOTOX ( 浮栅隧道氧化层 MOS 管) G f 与 D之间有小的隧道区， SiO 2 厚度 2 × 10 ?8 m 当场强达到一定大小（ 10 7 V / cm ）电子会穿越隧道 , ??? “隧道效应” 工作原理： G f 充电荷后，正常读出 GC电压（3V）下， T 截止 未充电荷时，正常读出 GC电压（3V）下， T 导通 充电： Wi , GC 加20V ,10 ms 的正脉冲， B j 接 0 电子隧道区 → G f 放电：GC 接0，Wi , B j 加正脉冲， G f 上电荷经隧道区放电 三、快闪存储器（Flash Memory） 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） G f 与衬底间SiO2更薄（ ~ 15nm） 10 G f 与S区有