氮化镓基高压发光二极管的失效机理1.docVIP

氮化镓基高压发光二极管的失效机理 摘要--我们对GaN基高压发光二极管提出了详细的可靠性试验研究。在高温（即80℃）和大电流注入（即100 mA）的条件下，我们发现Al的金属晶须在120小时老化测试后形于铬/铝/钛/铂/金金属的侧壁。同时还发现，我们增加了老化时间，该晶须变长。此外，我们发现铝晶须的形成与Al的迁移直接相关。 ：氮化镓，高压，发光二极管，金属，铝，晶须。 GaN，InGaNAlGaN，近年来已成为最重要的短波长的光发射器的材料系。事实上，基于GaN的蓝色和绿色发光二极管（LED）被广泛地用于我们的日常生活中。大芯片尺寸的GaN基大功率白光LED也用于固态照明。然而，这些大尺寸LED芯片受到来自较差电流扩散的影响。当LED有大电流注入时这样很差的电流扩散会导致“效率下降”。这些可以通过在大面积芯片上利用多个微型LED来解决，通过正确地连接这些微型LED，人们可以实现自整流交流发光二极管（AC-LED）。然而，因为只有一半的有效区域的被驱动，AC-LED的输出功率相对较小。它也表明当微型LED反向偏置时，将有GaOx氧化颗粒产生。这可能会性能下降并最终导致AC -LED的失效。或者，可以在大面积的芯片上串联连接的微型LED，这些串联连接的微型LED在直流（DC）下会产生很高的正向电压。不同于高电流和低电压，我们可以在高电压和低电流下驱动这些微型LED。相比于传统的高功率LED，它表明，这种高压发光二极管（HV-LED）是更安全的，并可以提供更大的功率转换效率。然而，据我们所知，在文献中没有关于HV-LED的失效机理报告可寻。在这篇文章中，我们论述了GaN基HV-LED详细的可靠性测试结果。 2、实验 在这篇文章中，使用的样本都是金属有机化学气相沉积（MOCVD）在c平面生长的圆锥形图案化蓝宝石衬底（PSS）。锥体的直径和高度分别为2.6um和1.55um0.4μm。样品的结构由一个25nm560℃的低温GaN层，生长于1050℃的2厚的未掺杂的GaN，生长1050℃下2.5厚的Si掺杂n型GaN层，在900℃下生长的Si掺杂应变多量SRMQW），在770℃下生长的未掺杂的发光MQW有源区，一个在1050℃下生长的25纳米厚的Mg掺杂 Al0.15Ga0.85N电子阻挡层，一个生长在1050℃的0.22umMg的p-GaN接触层和Si掺杂的n + InGaN / GaN的短周期超晶格隧道接触结构（SPS）。该SRMQW由20个周期的1.2nm厚的In0.04Ga0.96N阱层和3nm厚的GaN势垒层。在InGaN / GaN的多量子阱有源区由8个周期的3纳米厚的In0.22Ga0.78N阱层和8纳米厚的GaN势垒层。另一方面，SPS结构由四对5?厚的In0.23Ga0.77N层和5?厚的GaN层组成。 这些LED晶片用标准程序处理。感应耦合等离子体（ICP）蚀刻来形成隔离沟槽。Cr/Al/(Ti/Pt)x3/Au (3/200/(100/50)x3/3000 nm)用电子枪蒸发作为连接和金属接触。图 1（a）是组装的HV-LED芯片的光学显微镜图像。可以看出，16个微型LED串联连接形成于1125um×1125um HV-LED芯片。图1（a）中显示的蓝线是铬/铝/钛/铂/金金属堆积线。应当指出的是指定金属接触和连接线的线宽度分别为5和30图1（b）显示出了HV-LED芯片在20mA驱动下电致发光（EL）强度分布。可以看出，EL强20 mA注入电流下，发现从1到4号四个测量仪器测得每个微型发光二极管的正向电压为大约为3.0V，而在整个HV-LED芯片的正向电压是大约49V，要分析失效机理，其老化测试实施是在80℃下通过100mA电流连续驱动这些HV-LED芯片。然后用扫描电子显微镜（SEM），能量分散光谱仪（EDS）和聚焦离子束（FIB）来评估HV-LED芯片之前和老化测试之后的属性。 （a） （b） 图1 80℃用100毫安的电流注入，我们发现晶须在120小时的老化测试后开始从铬/铝/钛/金p指状金属的侧壁出现。有人还发现，由于我们增加了老化时间，该晶须变长。这样的持续增长表明，晶须是在老化测试过程中形成的，而不是在器件加工中形成。要显示这结果是可重复的，我们制备的10个晶片具有相同的外延结构。在设备处理，我们随机从这10个晶片中选取了5 个HV-LED芯片。结果发现，在10mA和80℃老化测试下，类似晶须可以从所有这些HV-LED芯片观察到。应当指出的是，观察到的晶须大约在相同的位置（即p指状和桥连接的地方）。图2（a）LED被隔离沟槽隔开拍摄的SEM图像。300小时老化测试后进行测定。图2（b）SE