14MeV中子与铈元素的（n，2n）反应截面测量.pdfVIP

4O 中国工程物理研究院科技年报 对6．5cmx6．5cmx24cm长方体石墨样品(重约2kg)，丫探测器离样品20cm，样品前端离靶 57cm，样 品中间离靶68cm，与17,粒子相关的中子，43％照射在样品上。在6．120~10cm 中子注量条件下，C的4．43 MeV统计数为 1234-31。图 1为意大利与法国的联合实验结果，石墨尺寸20crnx20cmx10cm，质量是本 实验的3倍，D—T中子照射45min。图2为本实验的结果。从两图可以看到，本实验结果与国外水平相当。 2．2O 14MeV中子与铈元素的(n，2n)反应截面测量 朱传新 牟云峰 陈 渊 郑 普 郭海萍 何 铁 安 力 王新华 在本工作中，铈元素 14MeV 中子(n，2n)反应截面通过 Al(n，0L)4Na标准反应截面相对测量获得， 7Al(n，0)【2a活化反应截面被推荐为一级放射计量标准截面，作为标准值被广泛用于放射剂量和活化测 量中，尤其是在 13．和 l4．9MeV能区，该反应截面的不确定度小于 1．0％，适合作为相对测量反应截面使用。 铈、Al样品由北京有色金属研究院提供，样品纯度为 99．9％。制作成圆形薄样品片，其中Al片与铈 片的面积相同。由于铈活化产物核素的半衰期较长，利用PD一300加速器对实验样品辐照了13h，中子源 强控制在2×10m-4x10mS～，累积总中子数为 1．5×lO 。样品固定在样品架上，利用DT中子辐照样品，样 品端面与D束成0o，30o等6个不同角度，从而得到不同入射中子能量相应的反应截面。样品架高 180cm， 由三脚架和两个圆环构成，圆环半径20cm，使样品距离源 20cm。采取精确定位措施，确保两个圆环的 中心轴通过氚靶中心，并保证 0。方向与 D束方向同轴。由于样品架结构简单，使用结构材料量少，样品 架散射中子干扰非常小。中子源强采用伴随 粒子法监测。入射中子能量利用Nb-Zr截面比法测量得到。 样品经过中子辐照后，采用GEM60P型HPGe探测器进行活化测量，探测距离为82mm。HPGe探测器 的能量效率曲线采用系列标准Y射线源刻度得到。 图 1 Ce(n．2n)”9Ce的反应截面 实验测量得到 Ce(n，2n) Ce的反应截面，见图1数据结果与国外公开实验数据进行了比较，D表 示核反应截面， 表示入射中子能量。由图1可见，文中的实验结果与W．Dilg，M．Bormann的偏差在约 3％ 5％，在不确定度范围内是相互吻合的。实验测量得到 ¨Ce(n，2n)HCe的反应截面，见图2。M．Bormann 和 W．Dilg的实验数据也在图 2中给出，以进行比较。本实验值高于 M．Bormann和 W．Dilg的实验结果 5％一10％。 这里的实验结果的不确定度，主要来源于中子产额监测、HPGe探测器效率刻度以及特征Y射线峰计数 等因素。总不确定度约2．3％。 核物理与等离子体物理 41 晶 ／MeV 图 2 C n，2n)“Ce的反应截面 2．21 2．442．6MeV”8Hf核高激发态能级及性质 杨天丽 郝樊华 刘雪梅 刘钊 龙开明 汤 磊 Coliins低能诱导 Hf 辐射衰变 “正”面实验结果受到质疑的原因之一是未能确定出诱导实验的中 间激发态。 8Hf核能级结构的实验数据表明：距同质异能态 8Hf (2．446MeV)最近的一条能级是2．573 MeV(】=l4+)。因此，详细计算 Hf核2．44~2．6MeV范围内高自旋、高激发核能级结构，对寻找低能诱 导。Hfm辐射衰变中间激发态，分析低能诱发辐射实验可行性非常必要。 选用组态限制的位能面方法计算了29个多准粒子组态、能量在 2．446MeV附近高K能带带头。计算 发现：2．405~2．837MeV存在一条能量为2．677MeV能带带头。其中2．405，2．837MeV分别对应实验数据 2．446(K~=16)，2．573(K~=14-)能级。考虑到组态限制位能面计算模型用于计算中壳A~180多准粒子态耦合 的高 自旋、高 K能级比其他模型具有优势，成功验证并预示了许多核能级结构。。Hf核具有