基于MCM互连技术的LTCC基板研究.pdfVIP

第21卷 第 1期 混合微电子技术 V01．21 No．1 2010年 3月 Hybrid MicroelectronicsTechnology Mar． 201O 基于 MCM互连技术的 LTCC基板研究 龙博，钱可伟 ，唐伟 (电子科技大学 电子科学技术研究院，成都 610054) 摘 要： 本文介绍了一种基于MCM(多芯片组件)互连技术的新型LTCC基板结构，在 目前的工艺 条件下实现了更高的基板平整度和电磁兼容(EMC)保护。我们将其应用于相控阵雷达 TR组件的设计 之 中，经测试指标达到设计标准。 关键词： 低温共烧 陶瓷技术 ；多芯片组件技术；TR组件 ；互连结构 中图分类号：TN405．93 文献标识码 ：A 文章编号：AH00—240(2010)01—27—03 ResearchonLTCC SubstrateBasded onM CM InterconnectionTechnology LONGBo，QIANKe—wei，TANGWei -(ResearchinstituteofelectronicscienceandtechnologyofUESTC，Chengdu610054) Abstract：A new structureofLTCC substrateforMultichipmoduletechnoloyg wasintroducedinthispaperwhichprovides bettersubstrateflatnessandEMCprotectionunderpreviousmanufacturingprocess．A Tranceivermodulewasdesignedusingthe new structure，andtheresultshowsthatitmeetsthedesignspecifications． KeyW ords：LTCC，MCM ，TR module，interconnectionstructure 1 引言 ＼ lIcHIP ll 多芯片组件是在高密度多层互连基板上，采 射频传输线 用微焊接、封装工艺将构成 电子 电路的各种微型 敞热逋 0一 、 元器件 (IC裸芯片及片式元器件)组装起来 ，形成 金属地层 高密度、高性能、高可靠性的微电子产品 (包括组 供电电路 ／ 金属地层 。 件、部件、子系统、系统)。基于其在布线层数、布 ＼ 线密度、封装效率和电性能方面的巨大优势，低温 图1 传统 LTCCTR组件基板结构 共烧陶瓷 (LTCC)技术是实现MCM 的主流技术 如图所示 ，采用此种结构的基板有如下特点： 之一 。 1)射频信号利用位于LTCC基板表面的微带线进 TR组件是相控阵雷达的核心部件。现代雷 行传输 ，通过金丝与MMIC单片对应接 口相连接 。 达技术的发展对其在体积、电性能及可靠性方面 2)MMIC通过金丝连接起过滤杂波作用的芯片电 提出了较高的要求。TR组件通常采用多 MMIC 容，再通过金丝连接其供 电电路。3)MMIC通过 芯片级连的方式 以实现其 电性能，采用 LTCC技 下方接地散热孑L进行散热。4)LTC