中能电子成像仪探头的设计.pdfVIP

第 27卷第 1期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．27，No．1 2015年 1月 HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAM S Jan．，2015 中能电子成像仪探头的设计 贾向红 ， 邹 鸿 ， 许 峰 ， 于向前 ，杨成佳 ， 宗秋刚 (1．北京大学 空间物理与应用技术研究所 ，北京 100871； 2．中国航天员科研训练中心 航天医学基础与应用 国家重点实验室 ，北京 100094； 3．北京航空航天大学 航空科学与工程学院，北京 100191) 摘 要 ： 利用小孔成像原理对 中能电子成像仪探头的机械结构进行 了设计 ，为保证探头单元暴露于外辐 射带辐射环境 12年的总剂量小于 5krad，确定其壳体厚度为约 3mm 的铜 ，探头的角分辨率为 20。；根据带 电 粒子在硅中的能量损失规律对探测器进行了防质子污染设计，确定了探测器厚度为 1000 “m，其屏蔽层厚度为 10 m等效硅 。最后对设计探头的质子污染率进行 了计算 ，结果表 明该 中能 电子成像仪探头的设计满足外辐 射带空间中能 电子探测 的需求 ，为 中能电子成像仪 的研制奠定了基础 。 关键词 ： 中能电子 ； 投掷角； 外辐射带； 质子污染率 中图分类号 ： P353 文献标志码 ： A doi：10．11884／HPLPB201527．014005 卫星工作在环境恶劣的外太空，空间辐射是卫星在轨飞行期间遭遇的最主要的有害环境因素 ，并且无法避 免 。随着集成度较高的大规模 ／超大规模微电子器件的使用 ，卫星在 电子系统性能提高 的同时，空间辐射对其 影响也尤为重要。据统计 ，70 的卫星异常事件与空间辐射环境相关u 。通讯、导航等涉及经济和军事的卫 星主要运行在外辐射带 ，外辐射带电子易受磁暴 、亚暴 的影响，高能 电子通量的增加会使高轨卫星发生故障的 概率增大。根据超低频波对 电子加速的原理 ，通过测量中能电子谱分布及投掷角分布可 以实现对高能 电子暴 的预报 ，因此中能电子成像仪的研制对工程应用具有极其重要的意义。 外辐射带主要成分为能量小于 10MeV 的电子 ，中心距离地球表面 19000~25000km。当磁暴或亚暴发 生时，外辐射带 中能量为几百 keV到MeV的相对论电子通量会增强 2～3个数量级 ，甚至会填满槽 区E3。对 于在外辐射带运行的卫星 ，空间辐射环境对卫星上器件及材料的损伤主要是 由100keV到 10MeV 电子的深 层充电引起 的_9 。磁层中的高能电子大部分是 由中能 电子加速而来的。因此 ，需要详细 了解中能电子投掷 角的分布和演化规律 ，在此基础上预报更高能量 电子通量 的变化口。。引。投掷角靠近 9O。的电子首先被等离子 体波加速 ，通过测量 中能 电子的角分布 ，获得提前预知 的时间差 ，可以提前几十分钟到数小时预报 “杀手 电子” (高能电子暴)的爆发 ，从而可以采取必要的措施来避免关键部件 的辐射损伤 。 中能电子成像仪就是通过对 中能电子 (本文定义为 50～600keV)投掷角分布 的测量，研究外辐射带电子 的动态变化规律，预期利用该仪器的实时测量数据实现高能电子暴的预报。本文所设计的中能电子成像仪探 头是该仪器研制最重要的技术环节。 1 中能电子成像仪探头的机械结构设计 1．1 几何因子设计 在设计中能 电子成像仪前 ，必须了解卫星运行轨道上不同能量范围的电子最大可能通量 。为此 ，利用基于 CRRES卫星观测结果的辐射带电子模型 CRRESELE，计算 了21500km 高度 MEO轨道上 的中能 电子的通 量分布 。图 1显示的是由CRRESELE辐射带 电子模型计算 的MEO卫星轨道预计承受的大于 500keV 电子 的积分通量分布 。图2显示的是由CRRESELE辐射带 电子模型计算 的MEO卫星轨道预计承受的大于 600 keV 电子的积分通量分布。图中不同颜色代表 了不 同轨道的电子通量分布情况。 比较图 1和图2，可以看 出我们关心的中能电子最大通量约为 10。～10cm ·s一。国际上粒子探测器电 * 收稿 日期