流延工艺对BSZT-0.02MgO陶瓷微结构和性能的影响.pdfVIP

第43卷第 1期 广 州 化 工 Vo1．43No．1 2015年 1月 GuangzhouChemicalIndustry Jan．2015 流延工艺对BSZT-0．02MgO陶瓷微结构和性能的影响术 曾 静，樊明雷，陈潇洋，张丹阳，余 萍 (四川大学材料科学与工程学院，四川 成都 610065) 摘 要：采用溶胶凝胶法制备BSZT陶瓷粉，将 MgO粉体以2％摩尔比固相法掺入 BSZT陶瓷粉中，研究不同流延工 艺对 BaUl3sf0zr0 Ti。O (BSZT)一0．02MgO陶瓷微结构和电学性能的影响。研究结果表明，适当的烧结温度和优化 的流延 成型工艺能有效改善陶瓷 的电学性 能，提高击穿强度和储 能密度，本实验击穿强度达到 233．33kV／cm，储 能密度达 到 1．539x10 Jm～ 。 关键词：流延工艺；击穿强度；储能密度；陶瓷 中图分类号：TB324．1 文献标志码 ：A 文章编号：1001—9677(2015)Ot一0042—04 TheAffectsofTape——castingProcessingon theM icrostructureand ElectricPropertiesofBa0Sr0 Zro Ti082-0．02M gO Ceramics ． 3 ． 7 ． 18 ． ZENGring，FAN Mng—lei，CHENXiao—yn g，ZHANGDan-yang．YUP g (CollegeofMaterialsScienceandEngineering，SichuanUniversity，SichuanChengdu610064，China) Abstract：Theeffectsofthe tape castingprocessing on the characteristicsofthemicrostructureand the electric propertiesofBao3Sr07Zro18Tio ． 82 (BSZT)一0．02MgOwereinvestigatedexperimentally．TheBSZTpowderwasfabricated bysol—gelmethod andtheMgO wasintroducedbythesolid—stateprocess．Theresultsindicatedthatproperfiring temperatureandtapecastingmethodwereeffectivetoimprovetheelectricproperties，especiallybreakdownstrengthand theenergy-storagedensityoftheceramics．Thebreakdownstrengthandeneryg —storagedensityoftheceramicsreached 233．33kV／cm and1．539~10 Jm～，respectively． Keywords：tapecasting；breakdownstrength；eneryg storagedensity；ceramic 随着电子工业 的发展 ，电子电路集成化和微型化对 电容 其成本低、效率高、便于 自动化生产受到广泛关注。研究发现 器的储能密度要求越来越高，人们开始寻求高储能密度的电 用溶胶凝胶法制备的超细BST粉体 (粒径在5O一100nm)能通 介质材料。由于电容器的储能密度与介 电常数和击穿强度有 过流延法制备出薄的陶瓷片 ，相比于干压法制备 的陶瓷片， 关 ，通过提高介 电常数和击穿强度能有效地提高储能密度 ， 其性能更为优越 。本文主要研究流延工艺对 Ba Sr0Zr0 但是高介电常数材料如 CCTO等虽然具有很高的介电常数， Tio。O-