真空退火对溅射淀积ZnOGa透明导电膜性能的影响.pdfVIP

第34卷 第7期 稀有金属材料与工程 、，b1．34．No．7 2005年 7月 RAREMETALMATERIAI．SANDENGINEERING July2005 } 真空退火对溅射淀积Zno：Ga 透明导电膜性能的影响 马 瑾1，余旭浒1，计峰1，王玉恒1，张锡健1，程传福2，马洪磊1 (1．山东大学物理与微电子学院，山东济南250100) (2．山东师范大学物理系，山东济南250014) 摘要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(znO：Ga)透明导电膜，研究了真空退火对薄膜 Q·cm下 结构、电学和光学特性的影响。结果表明：真空退火后，薄膜结构得到明显改善，电阻率由退火前的1．13×10。3 降到5．4×104Q·cm，在可见光区的平均透过率也由未退火前的83％提高到退火后的90％以上。 关键词：磁控溅射：zno：Ga；真空退火 304．055 中图法分类号：TN304．2；TN 文献标识码：A 响，，并与未退火的薄膜进行了比较研究。 1 引 言 2 实验 氧化锌(znO)是II—vI化合物半导体，在室温下的 直接光学带隙为3．37ev。近年来，氧化锌(znO)透明 导电膜得到了非常广泛的研究。氧化锌相对于ITO和 仪利用射频溅射的方法制备得到的，所用的溅射频率 Pa，靶的直径 SnO：而言，具有价格便宜，淀积温度相对较低和氢气 为13．56MHz。系统本底真空为8×10。4 氛下稳定性更高等优点【l，2]。作为一种重要的光电子信 息材料，这种薄膜在制造发光器件、液晶显示器、非 晶硅太阳能电池，以及透明电磁屏蔽及触敏覆盖层等 粉末经压制成形和1 领域得到了广泛的应用。在氧化锌薄膜中掺入铝，铟 占3％(质量分数)【lol51。溅射所采用的气体是纯度为 等杂质，可以有效地降低薄膜的电阻率，改善薄膜的 99．999％的氩气，衬底为玻璃。溅射的基本条件是：溅 min。 性能。已对用不同方法制备zn0【3~5 射功率为150W，氩气分压为lPa，溅射时间是20 J及掺硼(B)、铟(In) 特别是铝(A1)的znO薄膜进行了比较多的研究【“91。与制备出的薄膜是在真空蒸发台中进行退火的。 znO：A1薄膜相比，znO：Ga具有显著的优点：Ga(原利用Rigaku 子序数31)与Zn(30)的原子序数只相差1，原子半 径相差不多，而且Ga．0键与zn一0键的键长也很接近， 分别为1．92×10Jom和1．97×10。om，因此即使在比 较高的掺杂浓度情况下，znO的晶格畸变也非常小， 透过率。薄膜的厚度是用DektakII台阶仪测量的。霍 derPauw 有利于掺杂。目前制备znO：Ga透明导电膜的报道不尔迁移率和载流子浓度是在室温下利用van 多，主要有：化学气相淀积[10]、溅射法【11】、喷涂高温法测量的。 分解[12】、激光烧蚀淀积法(PLD)【131等。 3结果和讨论 我们用射频磁控溅射法在