基于自动建模方法的互连可靠性分析.pdfVIP

第34卷 第6期 固体 电子学研究与进展 Vo1．34，No．6 2014年 12月 RESEARCH ＆PROGRESSOFSSE Dec．，2Ol4 ^ 硅 微 ～电～ 子 I《 ～ 一 基于 自动建模方法的互连可靠性分析 朱 凡 赵丽霞 (天津大学电子信息工程学院，天津，300072)(。河南城建学院，能源与建筑环境工程学院，河南，平顶山，467036) 201406—12收稿 ，2014—07—09收改稿 摘要 ：金属互连线 中的电迁移现象是导致互连线失效的主要原因，影响电迁移 (EM)的因素有温度 、电流、材料 特性和互连线的几何尺寸等 。采用有限元分析方法 ，探究导致 电迁移 的这些因素的工作机制 ，以及这些机制之间 的相互影响，并且采用原子通量散度 (AFlD)来衡量 电迁移的大小。使用先进的 自动建模并仿真的方法，得到互连 线的材料属性、几何尺寸、电流密度 ，以及外界环境温度与 AFD 的关系，通过 AFD 的变化规律分析互连线的可靠 性 。结果表 明，温度升高、电流增大 、尺寸减小 ，都会 降低互连线的可靠性 。 关键词 ：电迁移 ；原子通量散度 ；有 限元模 型 ；电子风 中图分类号 ：TN406 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—3819(2014)06—0585—05 InterconnectReliabilityAnalysisUsingAutomaticM odelingApproach ZHU Fan ZHAO Lixia。 (SchoolofElectronicInformationEngineering，TianjinUniversity，Tianjin，300072，CHN) (SchoolofEnergy ArchitecturalEnvironmentEngineering，HenanUniversityofUrbanConstruction， P g g ^口 ，Henan，467036，CHN) Abstract：Theelectromigration (EM)isamajorreliabilityissueininterconnects．Various factors，such as：temperature，current，materialproperty，and geometry ofinterconnects，can haveeffectsonanEM processoccurringinmetalthinfilm．Inthiswork。afiniteelementmodel combiningalltheaforementionedfactorsisdevelopedtostudytheinfluenceofthesefactorsand theirinteractionsinan EM process．Andatomsflux divergence (AFD)usedto evaluateEM ． Theadvancedautomaticmodelingapproachisappliedtostudytherelationshipbetweenthesefac— torsandAFD．ThetrendofAFD canbeanalyzedtoillustratetheinterconnectreliability．AFD simulation resultsshow thathightemperature，highcurrentdensity，andshrunkengeometrycan lead tothereductionofinterconnectreliability． Keywords：electromigration(EM )；atom fluxdivergence(AFD)；finiteelementmodel；el