GaAs中带填充效应与带隙重整化效应的竞争.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 60 ，No. 4 (2011) 047201 * GaAs 中带填充效应与带隙重整化效应的竞争 滕利华1) 王 霞1) 赖天树2 ) 1)( ， 26606 1) 青岛科技大学数理学院 青岛 2 )( ， ， 5 10275 ) 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 物理系 广州 (20 10 1 11 ;20 10 7 20 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 - GaAs ， 采用时间分辨线偏振光抽运 探测光谱研究常温下本征 中载流子弛豫动力学 观察到饱和吸收和吸收增 . 2 × 10 17 cm － 3 ， 1. 549 eV ， ， ， 强现象 发现载流子浓度为 探测光子能量小于 时 饱和吸收现象比较明显 反之 有明显的 16 － 3 . 7 × 10 cm ， ， 吸收增强现象出现 载流子浓度大于 的范围内 吸收增强信号随时间增大没有减弱的趋势 反而有继 . ， ， . 续增强的趋势 理论上 考虑带填充效应和带隙重整化效应的竞争 模拟得到与实验谱线相符合的结果 同时考虑 ， . 带填充和带隙重整化效应 给出了用于拟合载流子寿命的新的经验公式 : - ， ， ， 关键词 飞秒抽运 探测光谱 带填充效应 带隙重整化效应 载流子寿命 PACS :72 . 80 . Ey ，72 . 15 . Lh ，72 . 20 . Jv 始应用于半导体抽运 － 探测实验中吸收增强现象 ［10 ，22 ，23 ］ ， - 1. 引 言 的定性解释 但用抽运 探测实验定量的研究 各能级上的带隙重整化效应仅在9. 6 K 的低温下有