PAI%2bLEI形成适用于深亚微米MOS器件中S%5cD+Extension区超浅结工艺及研究.pdfVIP

S／DExtens ion区超浅结的工艺研究 殷华湘高文方索俊生徐秋霞 (中国科学院微电子中心一室) 摘要： 深亚微米Mos器件s／DExtensiOn区的形成是目前工艺技术中所面临的关键挑战之一． 当前使用传统的离子注入技术很难实现结深极浅并表面浓度较高的s／DExtensiOn区．本 文阐述了：在改进常规离子注入机(IM一200M)的基础上，采用预无定形注入结合低能注入 (PAI+LEI)的技术形成适用于o．18岬及其以下MOS嚣件中s／DgxtCnSion区要求的超浅结． RTA后的最小结深只有35nm，表面浓度仍在1E19cml之上．预无定形注入结合低能注入形 成浅结的过程中很重要的一个问题是如何减小由预注入缺陷所引起的严重的结反向漏电． 我们通过精确调整工艺参数使其数值降到了nA／cm。的数量级，并对它的机理及和工艺参数 之问的关系作了详细的讨论． 前言： 深皿微米MOS器件中源糯区特别是S／DExtcnsion区的结深要求随着栅长的缩减而不 断减小以抑制逐渐增强的短沟道效应，同时相应的表面浓度随之增加以减小源，漏区串联电 阻来提高工作速度。其中0．1 表面峰值浓度在3Elgem3以上【11。在通常的CMOS工艺流程中，S，DExtemion区在橱条刻 蚀之后由离子泞入自对准彤成。利用常规的离子注入很难形成符台要求的浅结口J。 我们首先对常规离子注入机(ULVACIM．200M)进行改造，使得它的注入能量范围 由25~200kev扩展到5以ookev。实现了小于25kev的低能注入(LEI)。 Extension区要 仅仅利用LEI技术还不能形成适用于018¨m及其以下MOS器件中S／D 求的超浅结lI】。目前有一些新技术正在开发研究中：超低能注A(ULEI)，Halo，Pocket注入， SPDD，离子，气体浸润及预无定形化。离子注入掺杂相对于其它方式具有更高的可控性． 重复性和稳定性。但是受到现有设备的限制，我们无法实现ULEI与Pocket注入。运用预 无定形注入(P舢)结合LEI是现实可行的途径。 PM的原理是利元素质量数较大的重离于轰击硅表面，可使之从单晶态转变成无定形 态。在随后的掺杂离子注入时可有效削弱严曩影响结深的沟道效应。这对由轻离子B“+注 入形成的PN浅结显得尤为必要。 实验与工艺流程： 图l中列出了实验流程的具体内容。所有样品都使用P型，100晶向，电阻率为35fhcm 的硅衬底。在阱形成以后，样品被分成两组：一组立即使用PAl+LEI技术形成单结，用于 SlMS分析，Hall与四探针测试；另～组按等平面工艺流程形成二极管后用于结反向漏电测 ’ 试。二极管的结构经过专门设计：在有源区经过PAI+LEf形成超浅结之后，再低温淀积～ 面积比为l：16，s／DExtcnsion区为直径等于800岬的圆，能有效反映浅结的反向漏电特 性。形成S，D的目的是在没有金属接触的情况下减小测试针尖效应和串联电阻的影响。 我们运用二次离子质谱(SIMs)分析获得注入掺杂的纵向分布曲线。强磁场下的Hall 294 测试可得到硅表面载流子的有效浓度和迁移率．并可验证从四探针测试得到的表面方阻值． 反向1．V特性在HP4145A半导体参数测试仪上得到。 结果与讨论： 图2列出了不同LEI条件下的SIMS分析原图。从获得的分布曲线上可得到实际的注入 射程和峰值浓度。图3总结了SIMS分析结果：注入的实际射程(Rp‘)与理论射程(RD) 之闯的差异十分小，这验证了在改进的离子注入机上进行LEI的有效性：但存在明显的剂 中’=2 量损失效应：实铡的注入剂量(巾’， 5NsARp)要小于预定的注入剂量(‘D)。并且这 种效应随着注入能量的减小而更加严重，分析原因是：当注入能量较小，掺杂峰值接近表 面时，注入离子在硅表面有较强的背散射和铣蚀作用。 我们对多种PAI和LEI的工艺条件进行了实验，包括元素种类，能量和剂量，以获得 更浅的结