STI倾角对器件沟道应力和性能影响.pdfVIP

201 中国三亚 1年11月 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 STI倾角对器件沟道应力和性能的影响 秦桂霞1，李竞春1，王向展1，谭开洲2 (1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054t 2．模拟集成电路重点实验室，重庆400060) 摘要：器件的浅槽隔离区域(STI)能够通过热失配在器件的沟道区引入压应力来提高PMOS的性 nm、32 能。使用了TCAD仿真工具在90ntn、45nin技术节点下，研究了STI侧墙倾角(a)对PMOS 器件沟道区的应力和器件性能产生的影响。结果表明：当STI侧墙倾角似)从60。线性增大到1200 时，PMOS器件沟道区的应力、饱和漏极电流缸和器件的跨导gm都得到了相应的提升，同时， 器件的开关电流Iondoff没有降低．对深入分析STI应力引入机理和优化应变PMOS器件的性能提 供了一定的参考． 关键词：STI侧墙倾角；沟道应力；漏极电流；跨导 1 引言 较低的工艺温度等优点，成为制作隔离器件的主流技术【Il。同时，利用应变硅技术提高载流子的迁移率已 经成为一个研究热点【I’31。在MOS器件制作过程中，可以通过Si与STI氧化物之间热膨胀系数的差异产生 的热失配应力，在PMOS器件表面引入压应力来提高空穴的迁移率【2J，从而提升器件的电学性能。相关研 变动【51，这种变化必然影响器件沟道区的横向应力(Sk)分布，进而改变器件电学特性，目前尚无相关文献 报道。 nln、45 本文采用理论模型分析与TCAD仿真相结合的方法，在90 nm和32nm技术节点下，研究了 了相应的提升。研究结果可为STI结构优化提供参考。 2理论分析 根据文献报道，STI可在器件沟道区引入张应力和压应力，应力性质取决于填充STI槽的工艺【6J。考 虑到应力为一个2阶张量，因此本文从半定量的角度来分析STI在沟道区引入的压应力与STI侧墙倾角g 的关系(张应力的分析类似，本文只关注压应力)。根据机械力学的知识，STI引入的热失配应力在x轴、Y rim、45 nln 轴和z轴三个方向都存在应力分量。在器件的2D仿真中，栅宽默认为l nin和32 Inn，因此对90 的技术节点而言，可认为器件的栅宽形远大于栅长L，X轴方向(栅长方向)的应力分量与Z轴方向(栅宽方 向)的应力分量相互独立。如图1所示，由STI产生的热失配应力，垂直于STI侧墙，根据力的合成与分解， 可以得到在x和Y方向的应力分量为R和凡。根据力的合成与分解以及应力与应变的关系，能够获得沿 着X方向的实际沟道区的平均应力S。(avc)，为： (1) ＆(ave)=C一仃ב=Fcos(a一90。)一‘zxFsin(a一90。) 式中，o--0．28是Si材料的泊松比。沟道区实际的平均应力(ave)的1阶导数为： ＆‘(ave)=Feosa+0．28xFsina (2) ．296． 秦桂霞等：STI倾角对器件沟道应力和性能的影响 图l 工艺和器件仿真的剖面结构和STI氧化物产生的热失配应力的力的分解示意图 应力5k(ave)可以作如下修正： S。(ave)=只x ∽ 即