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201 中国三亚
1年11月 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
STI倾角对器件沟道应力和性能的影响
秦桂霞1,李竞春1,王向展1,谭开洲2
(1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054t
2.模拟集成电路重点实验室,重庆400060)
摘要:器件的浅槽隔离区域(STI)能够通过热失配在器件的沟道区引入压应力来提高PMOS的性
nm、32
能。使用了TCAD仿真工具在90ntn、45nin技术节点下,研究了STI侧墙倾角(a)对PMOS
器件沟道区的应力和器件性能产生的影响。结果表明:当STI侧墙倾角似)从60。线性增大到1200
时,PMOS器件沟道区的应力、饱和漏极电流缸和器件的跨导gm都得到了相应的提升,同时,
器件的开关电流Iondoff没有降低.对深入分析STI应力引入机理和优化应变PMOS器件的性能提
供了一定的参考.
关键词:STI侧墙倾角;沟道应力;漏极电流;跨导
1 引言
较低的工艺温度等优点,成为制作隔离器件的主流技术【Il。同时,利用应变硅技术提高载流子的迁移率已
经成为一个研究热点【I’31。在MOS器件制作过程中,可以通过Si与STI氧化物之间热膨胀系数的差异产生
的热失配应力,在PMOS器件表面引入压应力来提高空穴的迁移率【2J,从而提升器件的电学性能。相关研
变动【51,这种变化必然影响器件沟道区的横向应力(Sk)分布,进而改变器件电学特性,目前尚无相关文献
报道。
nln、45
本文采用理论模型分析与TCAD仿真相结合的方法,在90 nm和32nm技术节点下,研究了
了相应的提升。研究结果可为STI结构优化提供参考。
2理论分析
根据文献报道,STI可在器件沟道区引入张应力和压应力,应力性质取决于填充STI槽的工艺【6J。考
虑到应力为一个2阶张量,因此本文从半定量的角度来分析STI在沟道区引入的压应力与STI侧墙倾角g
的关系(张应力的分析类似,本文只关注压应力)。根据机械力学的知识,STI引入的热失配应力在x轴、Y
rim、45 nln
轴和z轴三个方向都存在应力分量。在器件的2D仿真中,栅宽默认为l nin和32
Inn,因此对90
的技术节点而言,可认为器件的栅宽形远大于栅长L,X轴方向(栅长方向)的应力分量与Z轴方向(栅宽方
向)的应力分量相互独立。如图1所示,由STI产生的热失配应力,垂直于STI侧墙,根据力的合成与分解,
可以得到在x和Y方向的应力分量为R和凡。根据力的合成与分解以及应力与应变的关系,能够获得沿
着X方向的实际沟道区的平均应力S。(avc),为:
(1)
&(ave)=C一仃ב=Fcos(a一90。)一‘zxFsin(a一90。)
式中,o--0.28是Si材料的泊松比。沟道区实际的平均应力(ave)的1阶导数为:
&‘(ave)=Feosa+0.28xFsina (2)
.296.
秦桂霞等:STI倾角对器件沟道应力和性能的影响
图l 工艺和器件仿真的剖面结构和STI氧化物产生的热失配应力的力的分解示意图
应力5k(ave)可以作如下修正:
S。(ave)=只x ∽
即
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