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《半导体光电器件封装工艺》电子教案 总主编：陈振源 主 编：战瑛　张逊民 职业院校理论实践一体化系列教材（光电子技术专业） 任务一 选择焊线材料及认识引线焊接设备 任务二 学习引线键合工艺 任务三 键合良次品判别及不良情况的分析与改进 项目四 学习引线焊接工艺 任务一 选择焊线材料及认识引线 焊接设备一、引线焊接的目的 引线焊接又叫键合或压焊，通常是采用热超声键合工艺，利用热及超声波,在压力、热量和超声波能量的共同作用下，使焊丝焊接于芯片上的焊垫及导线架或基板的焊垫上, 使焊丝在芯片电极和外引线键合区之间形成良好的欧姆接触，完成芯片的内外电路的连接工作，使芯片与产品引脚形成良好的电性能。 二、焊线材料的选择 常态下银、铜都具有良好的导电及导热性能，金和铝的导电能力差不多，但金的导热性能要好于铝，仅次于银和铜。在硬度方面银和金较优，有着很好的延展性，可以弯成任意的形状，适合压焊操作。 三、引线焊接设备 任务二 学习引线键合工艺一、键合工艺的分类 从压焊操作的不同，光电器件的压焊可分为自动键合和手动键合两种工艺形式。 从焊线形式上来划分，又可分为热压焊、超声楔型焊接、热超声球焊三种。 从压焊的材料上来看，光电器件的压焊工艺常见的有金丝球焊和铝丝压焊两种。 二、自动键合与手动键合工艺过程 1、键合的工艺过程 超声金丝球焊工艺过程可简单表示为： 烧球→一焊→拉丝→二焊→断丝→烧球 2、键合工艺参数 自动键合机台重要参数规范 参数 Bond Time ms （焊接时间） Bond power Dac （焊接功率） Bond Force g （焊接压力） Loop Height Manu μm 拱丝高度 第一焊点 （芯片） 10～15 50～70 40～60 300～400 第二焊点 （支架） 12～25 90～130 100～140 三、键合技术要求及注意事项 1、材料的要求 光电封装中常用的金丝： 25μm金丝的拉力原则上不小于5CN＊， 32μm金丝的拉力原则上不小于8CN。 2、键合位置要求 焊线时注意正负极性要正确，同时防止虚焊或尽量少虚焊。 键合第一焊点：在芯片电极位置范围，金球与芯片电极同心,最大偏出芯片电极小于金球的四分之一。 键合第二焊点：不得超出支架键合小区范围，双线两焊点位置不能重叠。 3、键合焊点形状及尺寸要求 形状：要求金球形变好，丝与球同心。 金球直径: Ф25μm金丝：60-75μm，即为Ф的2.4-3.0倍。 球型厚度：Ф25μm金丝：15-20μm，即为Ф的0.6-0.8倍。 契形长度D: Ф25μm金丝：70-85μm，即为Ф的2.8-3.4倍。 4、焊线走向要求 不同外观双电极芯片键合要有正确的走线方向，双线不能交叉、重叠。 5、键合拱丝弧线要求 大多数的光电器件键合出的焊线应该是拱的形状。 拱丝高度高于第二焊点，拱丝总高H控制在芯片高度h的1.2～2.5倍，大约100～350μm。 拱丝的最高点在芯片的正上方，无塌丝，无勾丝。 6、键合产品表观要求 键合产品应该做到无多余焊丝、无掉片、无损坏芯片、无压伤电极。 键合后键合区表面无残留小段焊丝、无芯片残渣残留。 焊线的第一焊点、芯片电极及第二焊点的键合区域清洁，无明显的污物，并与键合区结合良好，用镊子轻触焊点无松动现象，将焊点刮掉后电极或键合区应有明显的超声键合的痕迹或焊丝残留。 任务三　键合良次品判别及 不良情况的分析与改进一、键合失效模式 键合工艺中最容易出现的问题主要是：晶片破损、掉晶、晶片翻转、塌线、虚焊（注：虚焊是指焊点与电极或PCB未形成共晶或者共晶不良，在测拉力的时候焊点断开等现象） 二、键合不良情况的分析与改进 1、焊点与芯片电极、引线框架电镀层黏性不好，将焊球推掉电极与焊球无明显超声痕迹 （1）芯片电极表面有不清洁的现象，如装架的胶，其他物体接触芯片表面；芯片存储不当导致电极表面氧化。 （2）在烧结过程中由于烘箱排气口不畅通，导致胶在固化过程中散发出的气体没有及时排出，吸附在芯片电极上或引线框架上，情况严重时也会影响键合焊点与键合区域的工艺。 （3）劈刀磨损较大，可以通过更换劈刀改善该现象。 2、键合掉片 （1）芯片下的胶异常。 （2）温度变高导致绝缘胶还原黏性变差。 （3）引线框架电镀层表面有油污导致胶与电镀层黏接不良。 3、键合失线频繁 （1）金丝被污染或金丝品质异常，可通过更换金丝改善；线夹不清洁；劈刀到使用寿命。 （2）焊线机参数设定不良，参数太小等情况。 （3）引线框架不平整或表面不洁现象。 思考与练习 在半导体光电器件封装工艺中为什么要进行引线焊接？它有什么作用？ 按焊线形式分，键合工艺可分为哪几类？封装企业常用哪一种？ 简述金丝球焊工作流程。金丝球焊和