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Si基外延GaN中缺陷的腐蚀研究.pdf
第 34卷 第 6期 人 工 晶 体 学 报
Vo l. 34 No. 6
2005年 12 月 JOURNAL OF SYN TH ET IC CRYSTAL S D ecem ber, 2005
S i基外延 GaN 中缺陷的腐蚀研究
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赵丽伟 ,刘彩池 , 滕晓云 , 朱军山 , 郝秋艳 , 孙世龙 ,
1 1 2 2 2
王海云 , 徐岳生 , 胡家辉 , 冯玉春 , 郭宝平
( 1. 河北工业大学信息功能材料研究所 ,天津 300 130; 2. 深圳大学光电子学研究所 ,深圳 518060)
( )
摘要 :本文采用 KOH ∶H O = 3 ∶20 ～1 ∶25 质量比 的 KOH 溶液 ,对 Si基外延 GaN 进行湿法腐蚀 。腐蚀后用扫描电
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( ) 8 2
子显微镜 SEM 观察 , GaN 面出现了六角腐蚀坑 ,它是外延层中的位错露头 ,密度约 10 / cm 。腐蚀坑的密度随腐
蚀时间延长而增加 ,说明 GaN 外延生长过程中位错密度是逐渐降低的 ,部分位错因相互作用而终止于 GaN 体内。
观察缺陷腐蚀形貌还发现 ,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度 , 围绕裂纹有许多由裂纹引
起的位错 。腐蚀坑的密度可以很好地反映 GaN 晶体的质量 。晶体质量较差的 GaN 片 ,腐蚀后其六角腐蚀坑的密
度高 。
关键词 : GaN ;湿法腐蚀 ;六角腐蚀坑 ; SEM
中图分类号 : TN 304 文献标识码 : A 文章编号 : 1000985X (2005)
Study on D efects in GaN Grown on S ilicon
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ZHA O L iw ei , L IU Ca ich i , TEN G X iaoy un , ZHU J un shan , HA O Q iu y an , SUN S h ilong ,
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