a_Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究.pdfVIP

第 50 卷 第 12 期 2001 年 12 月 物 　理 　学 　报 Vol. 50 ,No. 12 ,December ,2001 ( ) 10003290200150 12 241805 ACTA PHYSICA SINICA 2001 Chin. Phys. Soc. aSi ∶O ∶H 薄膜微结构及其高温退火行为研究 王永谦1) 　陈长勇1) 　陈维德1) 　杨富华2) 　刁宏伟1) 1) 1) 1) 1) 许振嘉 　张世斌 　孔光临 　廖显伯 1) ( 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心 ,表面物理国家重点实验室 ,北京 　100083) 2) ( 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室 ,北京 　100083) (2001 年 5 月 30 日收到 ;2001 年 6 月 22 日收到修改稿) ( ) 　　以微区 Raman 散射 、X 射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积 PECVD 法制备的氢化非晶 ( ) 硅氧 aSi ∶O ∶H 薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究. 结果表明 aSi ∶O ∶H 薄膜具有明显的相分离结构 ,富 Si ( ) 相镶嵌于富 O 相之中 ,其中富 Si 相为非氢化四面体结构形式的非晶硅 aSi ,富 O 相为 Si ,O ,H 三种原子随机键合 形成的 SiOx ∶H ( x ≈1. 35) . 经 1150 ℃高温退火 ,薄膜中的 H 全部释出;SiOx ∶H ( x ≈1. 35) 介质在析出部分 Si 原子的 同时发生结构相变 ,形成稳定的 SiO2 和 SiOx ( x ≈0. 64) ;在析出的 Si 原子参与下 ,薄膜中 aSi 颗粒固相晶化的成核 ( ) 和生长过程得以进行 ,形成纳米晶硅 ncSi . 研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构 ,在 ncSi 颗粒表面和外围 SiO 介质之间存在着纳米厚度的 SiO (x≈0 . 64) 中间相. 2 x 关键词 : aSi ∶O ∶H , ncSi , 微结构 , 退火 PACC : 6140 , 6146 , 6170A 2 　实 验 1 　引 言 我们采用传统的等离子体增强化学气相沉积 近年来 ,多孔硅强的室温可见发光的发现[1 ] ,极 (PECVD) 方法 , 以 SiH ,N O 和 H 为反应气体 ,在熔 4 2 2 大的引发和增强了人