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维普资讯 第29卷 第3期 舍肥 工业 大 学 学报 (自然科学版) Vo1．29No．3 2006年 3月 JOURNAIOFHEFEIUNIVERSITY OFTECHNOLOGY M ar．2006 一 种可用于高性能锁相环的CMOS电荷泵 莫秉轩， 陈钟鸣， 鲁迎春 (合肥工业大学 理学院，安徽 合肥 230009) 摘 要：文章提出了一种可用于高性能锁相环的CMOS电荷泵，电路采用电流舵技术来缩短切换时间，通过 降低差分对管栅电压的变化速率，显著地减小了毛刺，使输出电流波形更平滑、输出电压谐波分量更低 ，该电 路同时还消除了死区现象；最后用CMOS电荷泵与一种典型电荷泵作仿真结果对比，突出了CMOS电路的 优点。 关键词：高性能；CMOS电荷泵；锁相环 中图分类号：TN43 文献标识码：A 文章编号2006)03—0369—04 A CMOSchargepumpforhigh—performancephase-lockedloop MO Bing-xuan， CHEN Zhong-ming， LU Ying—chun (SchoolofSciences，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract：A CMOSchargepumpforthehigh—performancephase-lockedloopispresented．Theswitc— hingtimeisreducedbyusingthecurrentsteeringtechnology：Decreasingthechangerateofgatevolt— ageintheinputofdifferentialpairtransistorscanremarkablyreducespikes，smooththewaveofout— putcurrentandlowerthevoltageofoutputharmoniccontents．Atthesametime．thiscircuitalsoe— liminatesthedeadzone．Thisdesignrevealssuperiorityoveratypicalchargepumpinthesimulation results． Keywords：highperformance；CMOSchargepump；phase—lockedloop 将出现相位噪声或是在输出信号中引入毛刺。然 O 引 言 而当电荷泵用具体电路来实现时，却往往存在着 锁相环(PLI)是一种频繁应用于通信电路和 死区、充 ／放电电流间的失配、电荷注入以及电荷 系统设计中的电路。而这些系统(尤其是无线系 共享等非理想效应。由于电荷泵的功能是将数字 统)通常都要求具有严格精准的本振频率、极低的 时序信息转换为用于调谐VCO的模拟量，因此 相位噪声和毛刺电平 。 这些非理想效应的存在将会极大地影响到 PLI 如图 1所示，电荷泵锁相环 由鉴频鉴相器 的输出质量 。 (PFD)、环路滤波器(电荷泵+Cp组合构成)以及 对于高性能锁相环的设计而言，应尽量减小 压控振荡器(VC0)所组成。若要求PII输 出一 相位噪声与信号中毛刺的产生，使输出电流更平 个固定不变的频率，VCO的输入电压就必须尽可 滑，输出电压谐波分量更低，消除死区现象，因此， 能地保持稳定。因为当PII锁定时，VCO输入