不同上升时间快前沿电磁脉冲引起PN结失效_烧毁的二维数值模拟.pdfVIP

年第 期 微电子学与计算机 #$$# % ! 不同上升时间快前沿电磁脉冲引起 结失效、 34 烧毁的二维数值模拟 HKL ’ ?CM12?L1NO 4ICMP?ENO ?CIOND?L1 QN:2M N1R SIP1LID TLP 34 @I1ED?L1 MU?EM I1RMP VW3 K?DX ?TTMPM1D PN:?R ’ P?2M H?CM 6 7 西北核技术研究所 郭红霞 周 辉 陈雨生 张义门 西安 !$$#- 6 西安电子科技大学 龚仁喜 关 颖 韩福斌 龚建成 西安 !$$ !7 摘 要：利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对 结的毁坏过程， 34 对计算结果作了分析，得到了一维器件模拟无法得到的电流通道等其他二维效应，详细地给出了器件正常工 作、失效直至烧毁的全过程。 关键词：电磁脉冲 6 VW3 7 器件模拟，漂移扩散模型，结热二次击穿 ! 引言 6 # 7 电子和空穴连续性方程： 瞬态电磁脉冲对电子元器件会产生瞬时或永 +1 ! · 8 B ’ A ; * @ J ?C: 1 1 +D 9 久的损伤效应，损伤的程度取决于瞬态脉冲的电压 +: ! · 波形、脉冲宽度等诸种因素中的一种或几种。开展 +D 8 B?C: ’ A: ’ 9 * @: 电磁脉冲对电子系统的破坏机理研究具有重要意 电子电流和空穴电流密度； ， 电子 @ @ ’ A A ’ 1 ， : 1 : 义。在电磁脉冲冲击下，半导体分立器件损伤模式 和空穴复合率； 碰撞电离产生率； 时间。 B?C: ’ D ’ 包括) !* ：开路、短路、晶体管增益下降等，而损伤机理 6 % 7 电子和空穴电流密度方程： 主要为电击